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数据 薄板 acquired 从 harris 半导体
SCHS180C
特性
• 缓冲 输入
• 高 电流 总线 驱动器 输出
• 典型 传播 延迟 t
PLH
,t
PHL
= 8ns 在 V
CC
=5v,
C
L
= 15pf, t
一个
= 25
o
C
• 输出 (在 温度 范围)
- 标准 输出 . . . . . . . . . . . . . . . 10 lsttl 负载
- 总线 驱动器 输出 . . . . . . . . . . . . . 15 lsttl 负载
• 宽 运行 温度 范围 . . . -55
o
c 至 125
o
C
• 保持平衡 传播 延迟 和 转变 时间
• significant 电源 减少 对照的 至 lsttl
逻辑 ics
• hc 类型
- 2v 至 6v 运作
- 高 噪音 免除: n
IL
= 30%, n
IH
= 30% 的 v
CC
在 v
CC
= 5v
• hct 类型
- 4.5v 至 5.5v 运作
- 直接 lsttl 输入 逻辑 兼容性,
V
IL
= 0.8v (最大值), v
IH
= 2v (最小值)
- cmos 输入 兼容性, i
l
≤
1
µ
一个 在 v
OL
, v
OH
描述
这 ’hc365, ’hct365, 和 ’HC366 硅 门 CMOS 三-
状态 缓存区 是 一般 目的 高-速 非-反相的
和 反相的 缓存区. 它们 有 高 驱动 电流 输出
这个 使能 高 速 运作 甚至 当 驱动 大
总线 capacitances. 这些 电路 possess 这 低 电源
消耗 的 CMOS 电路系统, 还 有 speeds comparable 至
低 电源 肖特基 TTL 电路. 两个都 电路 是 有能力 的
驱动 向上 至 15 低 电源 肖特基 输入.
这 ’HC365 和 ’HCT365 是 非-反相的 缓存区, whereas
这 ’HC366 是 一个 反相的 缓存区. 这些 设备 有 二
三-状态 控制 输入 (
OE1 和 oe2) 这个 是 NORed
一起 至 控制 所有 六 门.
这 ’HCT365 逻辑 families 是 速, 函数 和 管脚
兼容 和 这 标准 ls 逻辑 家族.
引脚
cd54hc365, cd54hct365, cd54hc366
(cerdip)
cd74hc365, cd74hct365, cd74hc366
(pdip, soic)
顶 视图
订货 信息
部分 号码
温度 范围
(
o
c) 包装
CD54HC365F3A -55 至 125 16 ld cerdip
CD54HC366F3A -55 至 125 16 ld cerdip
CD54HCT365F3A -55 至 125 16 ld cerdip
CD74HC365E -55 至 125 16 ld pdip
CD74HC365M -55 至 125 16 ld soic
CD74HC365MT -55 至 125 16 ld soic
CD74HC365M96 -55 至 125 16 ld soic
CD74HC366E -55 至 125 16 ld pdip
CD74HC366M -55 至 125 16 ld soic
CD74HC366M96 -55 至 125 16 ld soic
CD74HCT365E -55 至 125 16 ld pdip
CD74HCT365M -55 至 125 16 ld soic
CD74HCT365MT -55 至 125 16 ld soic
CD74HCT365M96 -55 至 125 16 ld soic
便条: 当 订货, 使用 这 全部 部分 号码. 这 suffix 96
denotes 录音带 和 real. 这 suffix T denotes 一个 小-quantity 卷轴 的
250.
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16
9
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10
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3
4
5
7
6
8
OE1
1A
(1
y) 1Y
2A
(2
y) 2Y
3A
地
(3y) 3Y
V
CC
6A
6Y (6y)
5A
5Y (5
y)
4A
4Y (4
y)
OE2
十一月 1997 - 修订 october 2003
提醒: 这些 设备 是 敏感的 至 静电的 释放. 用户 应当 follow 恰当的 ic 处理 程序.
版权
©
2003, 德州 器械 组成公司的
cd54/74hc365, cd54/74hct365,
cd54/74hc366
高 速 cmos 逻辑 十六进制 缓存区/线条 驱动器,
三-状态 非-反相的 和 反相的
[ /标题
(cd74
HC365
,
C
D74
HCT36
5,
CD74
HC366
,
C
D74
HCT36
6)
/sub-
ject
(高
速