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初步的 数据
october 2005
这个 是 初步的 信息 在 一个 新 产品 now 在 开发 或者 undergoing evaluation.详细信息 是 主题 至 改变 without 注意.
nand01g-b, nand02g-b,
nand04g-b, nand08g-b
1 gbit, 2 gbit, 4 gbit, 8 gbit
2112 字节/1056 文字 页, 1.8v/3v, 与非 flash 记忆
特性 summary
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高 密度 与非 flash memories
– 向上 至 8 gbit 记忆 排列
– 向上 至 64mbit spare 范围
– 费用 有效的 解决方案 为 mass 存储
产品
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与非 接口
– x8 或者 x16 总线 宽度
– 多路复用 地址/ 数据
– 引脚 兼容性 为 所有 densities
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供应 电压
– 1.8v 设备: v
DD
= 1.7 至 1.95v
– 3.0v 设备: v
DD
= 2.7 至 3.6v
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页 大小
– x8 设备: (2048 + 64 spare) 字节
– x16 设备: (1024 + 32 spare) words
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块 大小
– x8 设备: (128k + 4k spare) 字节
– x16 设备: (64k + 2k spare) words
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页 读 / 程序
– 随机的 进入: 25µs (最大值)
– sequential 进入: 50ns (最小值)
– 页 程序 时间: 300µs (典型值)
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copy 后面的 程序 模式
– 快 页 copy 没有 外部 buffering
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cache 程序 和 cache 读
模式
– 内部的 cache 寄存器 至 改进 这
程序 和 读 throughputs
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快 块 擦掉
– 块 擦掉 时间: 2ms (典型值)
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状态 寄存器
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电子的 signature
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碎片 使能 ‘don’t 小心’
– 为 简单的 接口 和 微控制器
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串行 号码 选项
图示 1. 包装
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数据 保护
– 硬件 和 软件 块 locking
– 硬件 程序/擦掉 锁 在
电源 transitions
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数据 integrity
– 100,000 程序/擦掉 循环
– 10 年 数据 保持
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rohs 遵从
– 含铅的-自由 组件 是 一致的
和 这 rohs directive
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开发 tools
– 错误 纠正 代号 软件 和
硬件 模型
– bad blocks management 和 wear
leveling algorithms
– pc demo 板 和 simulation 软件
– 文件 系统 os native 涉及 软件
– 硬件 simulation 模型
tsop48 12 x 20mm
vfbga63 9.5 x 12 x 1mm
tfbga63 9.5 x 12 x 1.2mm
FBGA
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