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L6316
九月 2004
这个 是 初步的 信息 在 一个 新 产品 now 在 开发. 详细信息 是 主题 至 改变 没有 注意.
1 特性
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双 电源 供应 的 +5v, 10% 和 -3v, 6%
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低 电源 消耗量; 980 mw @ 800mb/s
(单独的 head 100% 写 模式 职责 循环,
随机的 模式, iw = 40ma, 最大值 ovs).
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flip 碎片 包装.l6316
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差别的 电压 偏差 / 电压 sense
architecture. 电流 偏差 有
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可编程序的 读 输入 差别的
阻抗.
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可选择的 读 path 带宽 从 200 至
>600 mhz (rmr=40
Ω
). (参数 依赖
在 interconnect)
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可选择的 lf corner (1, 2.5, 3.5 或者 5.5 mhz 和
RMR=40
Ω
).
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噪音 图示 的 merit; 2.2 db (rmr=40
Ω
)
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mr 偏差 电压 可编程序的 从 70 至 225
mv nom. (5 位) (7.2ma max).
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mr 偏差 电流 可编程序的 从 0.65 至
7.2 毫安 nom. (5 位) (225mv max).
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读 输入 平台 优化 为 mr 阻抗
从 20 至 70 ohm.
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可编程序的 读 电压 增益 的 37, 40, 43,
46 db rmr = 40
Ω
, rload = 100
Ω
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全部地 差别的 写 驱动器: 可编程序的
越过 振幅 (3bits) 和 持续时间 (2bits).
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写 电流 上升/下降 时间 和 custom head 和
interconnect 模型 140 ps 在 40 毫安 (10% 至
90%) (稳步的 状态 至 稳步的 状态)
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写 电流 振幅 可编程序的 (5 位) 0
至 62 毫安 (0-pk).
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bi-directional 16-位 串行 接口 2.5v 和
3.3v cmos 兼容.
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2-管脚 (rxw 和 tfi), 2 位 模式 选择
(wake, entfi).
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所有 控制 信号 是 2.5 &放大; 3.3v cmos
兼容.
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相似物 缓冲 head 电压 abhv (增益 的 5)
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自动 数字的 mr 阻抗 度量
(7 位).
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读 head 打开 发现, 读 head 短接
发现.
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写 head 打开 或者 短接 至 地面, writer 至
reader 短的, 写 数据 频率 too 低
发现.
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safedetect 方法 为 写 故障 发现.
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低 vcc 或者 vee 供应 &放大; 消逝 在 温度
发现, 相似物 温度 度量.
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快 写-至-读 恢复 150ns (最大值) (一样
head).
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head-至-head 转变 在 读 模式 1.5us (nom).
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零 mr 偏差, 非常 低 电源 (43mw) 空闲 模式
和 快 恢复 至 读 模式 1.5us (nom).
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mr 偏差 切换 没有 越过 为 head
保护.
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读-至-写 切换 50ns (最大值) (一样
head).
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静电释放 二极管 为 mr head 保护
2 描述
这 l6316 是 一个 bicmos 硅 germanium inte-
grated 电路 差别的 前置放大器. 它 是 de-
signed 为 使用 和 四-终端 mr 读 和 在-
ductive 写 heads. 在 读 模式, 这 设备
组成 的 一个 全部地 差别的 放大器, offering;
电压 或者 电流 偏差, 电压-sense 输入, pro-
grammable 输入 阻抗, 低 噪音 和 高
带宽. 在 写 模式, 它 包含 快 电流
切换 差别的 写 驱动器, 这个 支持
数据 比率 向上 至 1200 mb/s.
这个 前置放大器 提供 可编程序的 读
电压 或者 电流 偏差 和 写 电流 (5 位
dacs 为 这 读 偏差 和 为 这 写 电流),
故障 发现 电路系统 和 伺服 追踪 writing fea-
tures. 读 放大器 增益, 低 corner 频率,
和 写 电流 波 shape 是 可调整的. 这
振幅 和 持续时间 的 这 越过 是 sepa-
rately 可编程序的 通过 一个 16-位 bi-方向-
al 串行 接口 (sen, sdata, 和 sclk). 这
设备 运作 从 +5v 和 -3v 供应.
数据 brief
4-频道 低 电源 前置放大器
rev. 1
Figure 1.P交流kage
表格 1. 顺序 代号
部分 号码 包装
L6316 flip 碎片
flip 碎片