半导体 组件 行业, llc, 2005
十一月, 2005 − rev. 0
1
出版物 订单 号码:
emz1dxv6/d
emz1dxv6t1,
EMZ1DXV6T5
双 概述 目的
晶体管
npn/pnp 双 (免费)
这个 晶体管 是 设计用于 概述 purpose 放大器
应用程序. 它 是 已安置 入点 这 sot−563 哪个 是 设计 用于 低
电源 表面 安装 应用程序.
特点
•
lead−free 焊料 电镀
•
低 v
ce(sat)
,
0.5 v
•
这些 是 pb−free 设备
最大值 额定值
评级 符号 值 单位
收集器 −发射器 电压 v
CEO
−60 v
收集器 −底座 电压 v
CBO
−50 v
发射器 −底座 电压 v
EBO
−6.0 v
收集器 电流 − 连续 我
c
−100 mAdc
热 特性
特性
(一个 接合点 加热)
符号 最大值 单位
合计 设备 耗散
t
一个
= 25
°
c
降额 以上 25
°
c
p
d
357 (备注 1)
2.9 (备注 1)
mW
mw/
°
c
热 电阻,
交叉点到环境
右
ja
350
(备注 1)
°
c/w
特性
(两者都有 交叉点 加热)
符号 最大值 单位
合计 设备 耗散
t
一个
= 25
°
c
降额 以上 25
°
c
p
d
500 (备注 1)
4.0 (备注 1)
mW
mw/
°
c
热 电阻,
交叉点到环境
右
ja
250
(备注 1)
°
c/w
接合点 和 存储
温度 范围
t
j
, t
stg
−55 至 +150
°
c
最大值 额定值 是 那些 数值 超越 哪个 设备 损伤 可以 发生.
最大值 额定值 已应用 至 这 设备 是 个人 应力 限制 数值 (不
正常操作 条件) 和 是 不 有效 同时. 如果 这些 限制 是
超过, 设备 功能 操作 是 不 默示, 损伤 将 发生 和
可靠性 将 是 受影响.
1. fr−4 @ 最小值 衬垫.
q
1
(1)(2)
(3)
(4) (5) (6)
q
2
http://onsemi.com
标记 图表
3z m
3Z = 具体 设备 代码
m = 月份 代码
= pb−free 包装
(备注: microdot 将 是 入点 要么 位置)
SOT−563
案例 463a
风格 1
1
6
请参见 详细 订购 和 装运 信息 入点 这 包装
尺寸截面 开启 第页 2 的 这个 数据 工作表.
订购 信息
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