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资料编号:1119596
 
资料名称:BAW56TT1
 
文件大小: 33K
   
说明
 
介绍:
Dual Switching Diode
 
 


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1
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2
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3
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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
半导体 组件 行业, llc, 2005
二月, 2005 − rev. 0
1
出版物 订单 号码:
bcw66glt1/d
BCW66GLT1
概述 目的 晶体管
npn 硅
特点
pb−free 包装 是 可用
最大值 额定值
评级 符号 单位
收集器 发射器 电压 v
CEO
45 Vdc
收集器 底座 电压 v
CBO
75 Vdc
发射器底座 电压 v
EBO
5.0 Vdc
收集器 电流 − 连续
c
800 mAdc
最大值 额定值 是 那些 数值 超越 哪个 设备 损伤 可以 发生.
最大值 额定值 已应用 至 这 设备 是 个人 应力 限制 数值 (不
正常 操作 条件) 和 是 不 有效 同时. 如果 这些 限制
是 超过, 设备 功能 操作 是 不 默示, 损伤 将 发生
和 可靠性 将 是 受影响.
热 特性
特性 符号 最大值 单位
合计 设备 耗散 fr− 5 板
(备注 1), t
一个
= 25
°
c
降额 以上 25
°
c
p
d
225
1.8
mW
mw/
°
c
热 电阻,
Junction−to−Ambient
ja
556
°
c/w
合计 设备 耗散 氧化铝
基材, (备注 2) t
一个
= 25
°
c
降额 以上 25
°
c
p
d
300
2.4
mW
mw/
°
c
热 电阻,
Junction−to−Ambient
ja
417
°
c/w
接合点 和 存储 温度 t
j
, t
stg
55 至 +150
°
c
1. FR−5 = 1.0
0.75
0.062 入点.
2. 氧化铝 = 0.4
0.3
0.024 入点 99.5% 氧化铝.
SOT−23
案例 318
风格 6
http://onsemi.com
eg = 具体 设备 代码
m = 日期 代码
标记 图表
1
2
3
设备 包装 装运
订购 信息
BCW66GLT1 SOT−23 3000 / 胶带 &放大器; 卷轴
BCW66GLT1G SOT−23
(pb−free)
3000 / 胶带 &放大器; 卷轴
†for 信息 开启 胶带 和 卷轴 规格,
包括 零件 方向 和 胶带 尺码, 请
brochure, brd8011/d.
eg m
3000 / 胶带 &放大器; 卷轴
收集器
3
1
底座
2
发射器
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