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提醒: 这些 设备 是 敏感的 至 静电的 释放; follow 恰当的 ic 处理 程序.
1-888-intersil 或者 321-724-7143 | 版权 © intersil 公司 1999
HCS86MS
辐射 硬化
四方形 2-输入 独有的 或者 门
Pinouts
14 含铅的 陶瓷的 双-在-线条
metal seal 包装 (sbdip)
mil-标准-183s cdip2-t14, 含铅的 完成 c
顶 视图
14 含铅的 陶瓷的 metal seal
flatpack 包装 (flatpack)
mil-标准-183s cdfp3-f14, 含铅的 完成 c
顶 视图
函数的 图解
真实 表格
输入 输出
一个 Bn Yn
LLL
LHH
HLH
HHL
便条: l = 逻辑 水平的 低, h = 逻辑 水平的 高
A1
B1
Y1
A2
B2
Y2
地
VCC
B4
A4
Y4
B3
A3
Y3
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
14
13
12
11
10
9
8
2
3
4
5
6
7
1A1
B1
Y1
A2
B2
Y2
地
VCC
B4
A4
Y4
B3
A3
Y3
一个
Bn
Yn
(1, 4, 9, 12)
(2, 5, 10, 13)
(3, 6, 8, 11)
特性
• 3 micron 辐射 硬化 sos cmos
• 总的 剂量 200k rad (si)
• sep 有效的 let 非 upsets: >100 mev-cm
2
/mg
• 单独的 事件 upset (seu) 免除 < 2 x 10
-9
errors/位-日
(典型值)
• 剂量 比率 survivability: >1 x 10
12
rad (si)/s
• 剂量 比率 upset >10
10
rad (si)/s 20ns 脉冲波
• 获得-向上 自由 下面 任何 情况
• 军队 温度 范围: -55
o
c 至 +125
o
C
• significant 电源 减少 对照的 至 lsttl ics
• 直流 运行 电压 范围: 4.5v 至 5.5v
• 输入 逻辑 水平
- vil = 30% 的 vcc 最大值
- vih = 70% 的 vcc 最小值
• 输入 电流 水平 ii
≤
5
µ
一个 在 vol, voh
描述
这 intersil hcs86ms 是 一个 辐射 硬化 四方形 2-输入
独有的 或者 门. 一个 高 在 任何 一个 输入 exclusively 将
改变 这 输出 至 一个 高 状态.
这 hcs86ms 运用 先进的 cmos/sos 技术 至
达到 高-速 运作. 这个 设备 是 一个 成员 的
辐射 硬化, 高-速, cmos/sos 逻辑 家族 和
也 ttl 或者 cmos 输入 兼容性.
这 hcs86ms 是 有提供的 在 一个 14 含铅的 weld seal 陶瓷的
flatpack (k suffix) 或者 一个 weld seal 陶瓷的 双-在-线条 包装
(d suffix).
订货 信息
部分
号码
温度
范围
放映
水平的 包装
HCS86DMSR -55
o
c 至 +125
o
C intersil 类
s 相等的
14 含铅的 sbdip
HCS86KMSR -55
o
c 至 +125
o
C intersil 类
s 相等的
14 含铅的 陶瓷的
Flatpack
hcs86d/
样本
+25
o
C 样本 14 含铅的 sbdip
hcs86k/
样本
+25
o
C 样本 14 含铅的 陶瓷的
Flatpack
HCS86HMSR +25
o
C 消逝 消逝
九月 1995
规格 号码
518773
文件 号码
3058.1
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