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资料编号:1120967
 
资料名称:2N5551S
 
文件大小: 155K
   
说明
 
介绍:
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, HIGH VOLTAGE)
 
 


: 点此下载
 
1
浏览型号2N5551S的Datasheet PDF文件第2页
2
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3
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4
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2003. 12. 12 1/4
半导体
技术类 数据
2N7000A
n 频道 增强功能 模式
字段 效果 晶体管
修订 否 : 1
接口 和 开关 应用程序.
特点
高 密度 细胞 设计 用于 低 右
ds(开启)
.
电压 controolled 小 信号 开关.
坚固耐用 和 可靠.
高 饱和度 电流 capablity.
最大值 评级 (助教=25 )
至-92
昏暗 毫米
一个
B
c
d
f
g
h
j
k
l
4.70 最大值
4.80 最大值
3.70 最大值
0.45
1.00
1.27
0.85
0.45
14.00 0.50
0.55 最大值
2.30
d
1 2
3
B
AJ
k
g
h
f
f
l
e?
c
e?
c
m
n
0.45 最大值m
1.00n
1. 来源
2. 闸门
3. 排水管
+
_
电气 特性 (助教=25 )
特性 符号 测试一下 条件 最小值 典型值 最大值 单位
漏源 击穿 电压
BV
DSS
v
gs
=0v, 我
d
=10 一个
60 - - v
零 闸门 电压 排水管 电流
DSS
v
ds
=48v, v
gs
=0V
- - 1
一个
闸门-车身 泄漏, 前进
GSSF
v
gs
=15v, v
ds
=0V
- - 1
一个
闸门-车身 泄漏, 反向
GSSR
v
gs
=-15v, v
ds
=0V
- - -1
一个
特性 符号 评级 单位
漏源 电压
v
DSS
60 v
漏极-栅极 电压 (右
gs
1 )
v
DGR
60 v
栅极-源极 电压
v
GSS
20
v
排水管 电流
连续
d
200
ma
脉冲
dp
500
排水管 电源 耗散
p
d
400 mW
接合点 温度
t
j
150
存储 温度 范围
t
stg
-55 150
d
g
s
这个 晶体管 是 静电 敏感 设备.
请 手柄 与 注意事项.
等效 电路
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