2003. 12. 12 1/4
半导体
技术的 数据
2N7000A
n 频道 增强 模式
地方 效应 晶体管
修订 非 : 1
接口 和 切换 应用.
特性
高 密度 cell 设计 为 低 r
ds(在)
.
电压 controolled 小 信号 转变.
坚毅的 和 可依靠的.
高 饱和 电流 capablity.
最大 比率 (ta=25 )
至-92
DIM 毫米
一个
B
C
D
F
G
H
J
K
L
4.70 最大值
4.80 最大值
3.70 最大值
0.45
1.00
1.27
0.85
0.45
14.00 0.50
0.55 最大值
2.30
D
1 2
3
B
AJ
K
G
H
F
F
L
E
C
E
C
M
N
0.45 最大值M
1.00n
1. 源
2. 门
3. 流
+
_
电的 特性 (ta=25 )
典型的 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
流-源 损坏 电压
BV
DSS
V
GS
=0v, i
D
=10 一个
60 - - V
零 门 电压 流 电流
I
DSS
V
DS
=48v, v
GS
=0V
- - 1
一个
门-身体 泄漏, 向前
I
GSSF
V
GS
=15v, v
DS
=0V
- - 1
一个
门-身体 泄漏, 反转
I
GSSR
V
GS
=-15v, v
DS
=0V
- - -1
一个
典型的 标识 比率 单位
流-源 电压
V
DSS
60 V
流-门 电压 (r
GS
1 )
V
DGR
60 V
门-源 电压
V
GSS
20
V
流 电流
持续的
I
D
200
毫安
搏动
I
DP
500
流 电源 消耗
P
D
400 mW
接合面 温度
T
j
150
存储 温度 范围
T
stg
-55 150
D
G
S
这个 晶体管 是 静电的 敏感的 设备.
请 handle 和 提醒.
相等的 电路
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