2N3906E_集成电路资料查询网

2003. 12. 12 1/4
半导体
技术的 数据
2N3906E
外延的 planar pnp 晶体管
修订 非 : 0
一般 目的 应用.
切换 应用.
特性
低 泄漏 电流
: i
CEX
=-50na(最大值.),  i
BL
=-50na(最大值.)
@V
CE
=-30v, v
EB
=-3v.
极好的 直流 电流 增益 线性.
低 饱和 电压
: v
ce(sat)
=-0.4v(最大值.)  @i
C
=-50ma, i
B
=-5ma.
低 集电级 输出 电容
: c
ob
=4.5pf(最大值.) @v
CB
=-5v.
complementary 至 2n3904e.
最大 比率  (ta=25 )
DIM
毫米
一个
B
D
E
ESM
1.60   0.10
0.85   0.10
0.70   0.10
0.27+0.10/-0.05
1.60   0.10
1.00   0.10
0.50
0.13   0.05
C
G
H
J
1
3
2
E
B
D
一个
G
H
C
J
1. 发射级
2. 根基
3. 集电级
+
_
+
_
+
_
+
_
+
_
+
_
典型的 标识 比率 单位
集电级-根基 电压
V
CBO
-40 V
集电级-发射级 电压
V
CEO
-40 V
发射级-根基 电压
V
EBO
-5 V
集电级 电流
I
C
-200 毫安
根基 电流
I
B
-50 毫安
集电级 电源 消耗
P
C
100 mW
接合面 温度
T
j
150
存储 温度 范围
T
stg
-55 150
类型 名字
标记
z 一个

标　题:
内　容:
用户名:

手机号:	(*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)

本平台电子爱好着纯手工中文简译:	截至2020/5/17日,支持英文词汇500个

2003. 12. 12 1/4 半导体技术的数据 2N3906E 外延的 planar pnp 晶体管修订非 : 0 一般目的应用. 切换应用. 特性低泄漏电流 : i CEX =-50na(最大值.), i BL =-50na(最大值.) @V CE =-30v, v EB =-3v. 极好的直流电流增益线性. 低饱和电压 : v ce(sat) =-0.4v(最大值.) @i C =-50ma, i B =-5ma. 低集电级输出电容 : c ob =4.5pf(最大值.) @v CB =-5v. complementary 至 2n3904e. 最大比率 (ta=25 ) DIM 毫米一个 B D E ESM 1.60 0.10 0.85 0.10 0.70 0.10 0.27+0.10/-0.05 1.60 0.10 1.00 0.10 0.50 0.13 0.05 C G H J 1 3 2 E B D 一个 G H C J 1. 发射级 2. 根基 3. 集电级 + _ + _ + _ + _ + _ + _ 典型的标识比率单位集电级-根基电压 V CBO -40 V 集电级-发射级电压 V CEO -40 V 发射级-根基电压 V EBO -5 V 集电级电流 I C -200 毫安根基电流 I B -50 毫安集电级电源消耗 P C 100 mW 接合面温度 T j 150 存储温度范围 T stg -55 150 类型名字标记 z 一个

	电话：13410210660 QQ : 84325569
	联系方式： E-mail:CaiZH01@163.com