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处理 c1012
cmos 1.0
µ
m
5 volt 数字的
n-频道 晶体管 标识 最小 典型 最大 单位 Comments
门槛 电压 VT
N
0.725 0.875 1.025 V 100x1.0
µ
m
身体 因素
γ
N
0.76 V
1/2
100x1.0
µ
m
传导 因素
β
N
83 93 103
µ
一个/v
2
100x100
µ
m
有效的 频道 长度 Leff
N
0.73
µ
m 100x1.0
µ
m
宽度 encroachment
∆
W
N
0.81
µ
m 每 一侧
punch 通过 电压
BVDSS
N
10 V
poly 地方 门槛 VTF
p(n)
10 V
p-频道 晶体管 标识 最小 典型 最大 单位 Comments
门槛 电压 VT
P
–0.86 –1.01 –1.16 V 100x1.0
µ
m
身体 因素
γ
P
0.64 V
1/2
100x1.0
µ
m
传导 因素
β
P
29.5 30.5 33.5
µ
一个/v
2
100x100
µ
m
有效的 频道 长度 Leff
P
0.98
µ
m 100x1.0
µ
m
宽度 encroachment
∆
W
P
0.75
µ
m 每 一侧
punch 通过 电压
BVDSS
P
–10 V
poly 地方 门槛 电压
VTF
p(p)
–10 V
diffusion &放大; 薄的 films 标识 最小 典型 最大 单位 Comments
好 (地方) 薄板 阻抗
ρ
n-好(f)
0.565 0.644 0.720 K
Ω
/
n-好
n+ 薄板 阻抗
ρ
N+
20 35 50
Ω
/
n+ 接合面 depth x
jN+
0.45
µ
m
p+ 薄板 阻抗
ρ
P+
60 80 100
Ω
/
p+ 接合面 depth x
jP+
0.5
µ
m
门 oxide 厚度 T
GOX
15.5 17.5 19.5 nm
地方 oxide 厚度 T
地方
700 nm
poly 薄板 阻抗
ρ
POLY
15 22 30
Ω
/
metal-1 薄板 阻抗
ρ
M1
25 45 655 m
Ω
/
metal-2 薄板 阻抗
ρ
M2
15 25 35 m
Ω
/
passivation 厚度 T
通过
200+900 nm oxide+nit.
电容 标识 最小 典型 最大 单位 Comments
门 oxide C
OX
1.97 ff/
µ
m
2
metal-1 至 poly1 C
M1P
0.046 ff/
µ
m
2
metal-1 至 硅 C
M1S
0.028 ff/
µ
m
2
metal-2 至 metal-1 C
MM
0.038 ff/
µ
m
2
电的 特性
T=25
o
c 除非 否则 指出
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