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资料编号:1130448
 
资料名称:AO4914A
 
文件大小: 461K
   
说明
 
介绍:
Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode
 
 


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1
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标识 最大值 q2 单位
V
DS
V
V
GS
V
I
DM
T
J
, t
STG
°C
标识
V
DS
I
FM
T
J
, t
STG
门-源 电压 ±20
30
绝对 最大 比率 t
一个
=25°c 除非 否则 指出
参数
流-源 电压
W
-55 至 150 -55 至 150junction 和 存储 温度 范围
2
1.28 1.28
T
一个
=25°C
T
一个
=70°C
2
一个
6.7
40 40
8.3
7.4
T
一个
=25°C
T
一个
=70°C
电源 消耗
P
D
搏动 流 电流
B
持续的 流
电流
一个
I
D
最大 肖特基
最大值 q1
30
±12
9.3
单位
30 V
T
一个
=25°C
参数
反转 电压
一个
2.2
20
3
T
一个
=70°C
搏动 二极管 向前 电流
B
持续的 向前
电流
一个
P
D
I
F
T
一个
=25°C
T
一个
=70°C
接合面 和 存储 温度 范围
电源 消耗
一个
W
1.28
-55 至 150 °C
2
AO4918
asymmetric 双 n-频道 增强 模式 地方 效应
晶体管
特性
q1 q2
V
DS
(v) = 30v v
DS
(v) = 30v
I
D
= 9.3a (v
GS
= 10v) i
D
=8.3a (vGS= 10v
R
ds(在)
< 14.5m
<18m
(v
GS
= 10v)
R
ds(在)
< 16m
<27m
(v
GS
= 4.5v)
肖特基
V
DS
(v) = 30v, i
F
= 3a, v
F
<0.5v@1a
一般 描述
这 ao4918 使用 先进的 trench 技术 至 提供
极好的 r
ds(在)
和 低 门 承担. 这 二
mosfets 制造 一个 紧凑的 和 效率高的 转变 和
同步的 整流器 结合体 为 使用 在 直流-直流
转换器. 一个 肖特基 二极管 是 co-packaged 在 并行的
和 这 同步的 场效应晶体管 至 boost 效率 furthe
r
标准 产品 ao4918 是 铅-自由 (满足 rohs &放大;
sony 259 规格). ao4918l 是 一个 绿色 产品
订货 选项. ao4918 和 ao4918l 是 用电气
完全同样的.
soic-8
G1
s1/一个
D2
D2
d1/s2/k
d1/s2/k
d1/s2/k
G2
1
2
3
4
8
7
6
5
G1
D1
S1
K
一个
G2
D2
S2
Q1
Q2
alpha &放大; omega 半导体, 有限公司.
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