bu406/406h/408 npn 外延的
硅 晶体管
高 电压 切换 使用 在
horizontal deflection 输出 平台
至-220
绝对 最大 比率 (t
一个
=25°
C
CC
C
)
典型的 标识 比率 单位
集电级-根基 电压
集电级-emittervoltage
发射级-根基 电压
集电级 电流 (直流)
集电级 peck 电流
根基 电流 (直流)
集电级 消耗 (tc=25
°
C
)
接合面 温度
存储 温度
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
C
T
j
Tstg
400
200
6
7
10
4
60
150
-65~150
V
V
V
一个
一个
一个
W
°
C
°
C
电的 特性 (ta=25°
C
CC
C
)
Characterristic 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
集电级 截止 电流 (v
是
=0)
发射级 截止 电流(i
C
=0)
集电级 发射级 饱和 电压 :bu406
:bu406h
:bu408
根基- 发射级 饱和 电压 :bu406
:bu406h
:bu408
电流 增益 bandwith 产品
转变-止 时间 :bu406
:bu406h
:bu408
I
CES
I
EBO
V
ce(sat)
V
是(sat)
f
T
t
止
V
CE
= 400v , V
EB
=
0
V
CE
= 250v , V
EB
=
0
V
CE
= 250v , V
EB
=
0
Tc=150
V
EB
= 6v , i
C
=
0
I
C
=5a, i
B
=0.5a
I
C
=5a, i
B
=0.8a
I
C
=6a, i
B
=1.2a
I
C
=5a, i
B
=0.5a
I
C
=5a, i
B
=0.8a
I
C
=6a, i
B
=1.2a
V
CE
= 10v ,
I
C
=500mA
I
C
=5a, i
B
=0.5a
I
C
=5a, i
B
=0.8a
I
C
=6a, i
B
=1.2a
10
5
100
1
1
1
1
1
1.2
1.2
1.5
0.75
0.4
0.4
毫安
µ
一个
毫安
毫安
V
V
V
V
V
V
MHZ
µ
S
µ
S
µ
S
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