CH341
中文手册（二）
１
USB
总线转接芯片
CH341
中文手册（二）：并口及同步串口说明
版本：
2
http://wch.cn
1
、并口功能说明
1.1.
一般说明
CH341
的并口是主动式并口，在计算机端的程序控制下，可以直接从外部电路输入输出数据，一
般不需要外接单片机
/dsp/mcu
。
CH341
的并口有
3
种接口方式：
EPP
方式和
MEM
方式以及
B美国
扩展方式。
EPP
方式类似于
EPPV1.7
或者
EPPV1.9
，
MEM
方式类似于存储器的读写方式，
总线
扩展方式与
MEM
方式类似，区别是
总线
扩展
方式具有更多的地址线。芯片复位后的默认方式是
EPP
，在
USB
配置完
成
后，计算机端的程序可以
随
时
控制
CH341
在
上述
3
种方式
之间进行切换
。
1.2. epp
并口
EPP
并口的主要
引脚包括
WR#
引脚
、
DS#
引脚
、
一个S#
引脚
、
W一个IT#
引脚
，
相关信号
的
时
序说明可以
参
照
EPP
规范
v1.7
和
v1.9
。
EPP
方式
通过
WR#
、
DS#
和
AS#
的
逻辑组合执行
具
体操作
。
WR#
用
于
指示当前
的数据或地址
传
输方
向
，
对
计算机端
而言
，
高
电
平
是
对
外部电路
执行
读
操作
，
低
电
平
是
对
外部电路
执行
写
操作
。
选通信号
是
低
电
平
有
效
的
脉冲信号
，
选通信号包括
数据
选通
DS#
和地址
选通
一个S#
，
DS#
有
效执行
数据
操作
，
AS#
有
效执行
地址
操作
。
EPP
的
实际操作发生
于
选通信号
有
效期间
，
例如
：在
WR#
为高
电
平期间
DS#
输出
脉冲
，
则执行
一
个
数据读
操作；
在
WR#
为低
电
平期间
AS#
输出
脉冲
，
则执行
一
个
地址写
操作
。
CH341A
支持
WAIT#
等待信号
，在
CH341
开始
输出
低
电
平选通信号
后，
如果
W一个IT#
为低
电
平
，
那么
选通信号将继续保持低
电
平
直
到
WAIT#
恢
复
为高
电
平才结束
输出。
写
操作
的
选通信号
的
低
电
平
有
效宽度最小
是
0.33美国
或者
0.5美国
，读
操作
的
选通信号
的
低
电
平
有
效宽度最小
是
0.5us
或者
0.66us
，
理想状态
下的
最大传
输
速度
是
660KB/s
，
实测传
输
速度约为
：下
传
370kb/s
，
上传
560kb/s
。
1.3. mem
并口
MEM
并口的主要
引脚包括
WR#
引脚
、
RD#
引脚
（
DS#
引脚
的别
名
）、
A0
引脚
（
一个S#
引脚
的别
名
）、
WAIT#
引脚
。
MEM
方式类似于存储器的读写方式，
WR#
和
RD#
都
是
低
电
平
有
效
的
脉冲信号
。
MEM
的
实际操作发生
于
WR#
或者
RD#
有
效期间
，
对
计算机端
而言
，
当
WR#
有
效时对
外部电路
执行
写
操作
，
当
RD#
有
效时对
外
部电路
执行
读
操作
。
A0
用
于
指示当前
读写
操作
的地址，
例如
：
将
A0
和
A0
的
反相分
别
用
于
两个
外部
设备
的片
选；
或者
将
A0=1
时
的
操作指向
外部
设备
的
命令
端口，
而将
A0=0
时
的
操作指向
数据端口。
WR#
的
低
电
平
有
效宽度最小
是
0.5美国
，
RD#
的
低
电
平
有
效宽度最小
是
0.83美国
，
理想状态
下的
最大传
输
速度
是
600kb/s
。
实测传
输
速度
略
低
于
EPP
并口方式。
1.4. 总线
扩展并口
总线
并口的主要
引脚包括
WR#
引脚
、
RD#
引脚
（
DS#
引脚
的别
名
）、
一个LE
引脚
（
AS#
引脚
的别
名
）、
WAIT#
引脚
。
总线
扩展并口方式
仅适
用
于
CH341A
芯片。
总线
方式类似于存储器的读写方式，
WR#
和
RD#
都
是
低
电
平
有
效
的
脉冲信号
。
MEM
的
实际操作发生
于
WR#
或者
RD#
有
效期间
，
对
计算机端
而言
，
当
WR#
有
效时对
外部电路
执行
写
操作
，
当
RD#
有
效时对
外
部电路
执行
读
操作
。
ALE
用
于
通
知
外部
锁
存器
记忆
将
要读写
操作
的地址，
高
电
平
有
效
，
例如
：
用
ALE
控制
锁
存器
74LS373
或者
74HC573
，可以
产
生
7
位地址
A0
～
A6
（
已经去掉了
最高
位地址
A7
，
因
为
A7
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