shenzhen si 半导体 co., 有限公司.产品 规格
si 半导体
2004.10
1
mje 序列 晶体管
MJE13001
特性
高 电压 能力
高 速 切换 宽 soa
应用:
fluorescent lamp 电子的 ballast
绝对 最大 比率 TC=25
°
C 至-92
参数 标识 值 单位
集电级-根基 电压 V
CBO
500 V
集电级-发射级 电压 V
CEO
400 V
发射级- 根基 电压 V
EBO
9 V
集电级 电流 I
C
0.3 一个
总的 电源 消耗 P
C
7 w
接合面 温度 Tj 150
°
C
存储 温度 Tstg -65-150
°
C
电子的 特性 Tc=25
°
C
特性 标识 测试 情况 最小值 最大值 单位
集电级-根基 截止 电流 I
CBO
V
CB
=500v 100
一个
集电级-发射级 截止 电流 I
CEO
V
CE
=400v,i
B
=0 250
一个
集电级-发射级 电压 V
CEO
I
C
=10ma,i
B
=0 400 v
发射级- 根基 电压 V
EBO
I
E
=1ma,i
C
=0 9 v
I
C
=0.05a, ,i
B
=0.01a0.5
I
C
=0.1a,i
B
=0.02a 1.0
集电级-发射级 饱和 电压 Vces
I
C
=0.3a,i
B
=0.1a 3.0
V
根基-发射级 饱和 电压 V
BES
I
C
=0.1a,i
B
=0.02a 1.5 v
V
CE
=5v,i
C
=1ma 8
V
CE
=5v,i
C
=20ma 10 40
直流 电流 增益 h
FE
V
CE
=5v,i
C
=200ma 8
存储 时间 t
S
2.0
下落 时间 t
f
V
CC
=250v,
I
C
=5I
B
I
B1
= -i
B2
=0.04a
0.8
µ
S