雪崩 光电二极管 nir
特殊 特性
:
量子 效率 > 80 % 在
λ
760 - 910 nm
高 速度, 低 噪声
500 µm 直径 活动 面积
低 坡度 乘法 曲线
ad500-9 to52s1
参数
:
ad500-9 to52s1
活动 面积 0.196 mm
2
Ø 500 µm
黑暗 电流
1)
(m = 100)
最大值 5 不适用
典型值 0.5 - 1 不适用
合计 电容
1)
(m = 100)
典型值 1.2 pf
击穿 电压 u
br
(在 我
d
= 2 µa)
120 … 300 v
典型值 > 200 v
温度 系数 的 u
br
典型值 1.55 v/k
光谱 responsivity
1)
(在 905 nm, m = 100)
最小值 55 一个/w
典型值 60 一个/w
截止 频率
(-3db)
典型值 0.5 ghz
上升 时间 典型值 550 ps
最佳 增益 50 - 60
最大值 增益 > 200
“excess noise” 因素
(m = 100)
典型值 2.5
“excess noise” 索引
(m = 100)
典型值 0.2
噪声 电流
(m = 100)
典型值 1 pa/赫兹
1/2
n.e?.p.
(m = 100, 905 nm)
典型值 2* 10
-14
w/赫兹
1/2
操作 温度
存储 温度
-20 ... +70 °c
-60 ... +100 °c
1) 测量 条件
:
设置 的 照片 电流 10 不适用 在 m= 1 和 辐照 由 一个 ired
(880 nm, 80 nm 带).
增加 这 照片 电流 向上 至 1 µa, (m= 100) 由 内部 乘法
到期 至 一个 增加 偏差 电压.
包装 (to52s1):
www.silicon-传感器.一氧化碳m
www.pacific-传感器.一氧化碳m
版本: 05-04-29
规格 之前: sso-广告-500-9-to52-s1
∅
5.4 ± 0.2
∅
2.54
1
3
4
45°
阴极
一个节点
案例
芯片: ad500-9
diam. 活动 面积: 100 µm
1
3
4
查看 无
窗口 盖
∅
2.0 最小值
∅
4.7 ± 0.1
∅
3.0 ± 0.1
0.35 ± 0.2
13 ± 1.0
∅
0.45
0.5 最大值
0.4 最大值
2.7 ± 0.2
0.9 ± 0.3
3.6 ± 0.2
敏感
表面
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