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资料编号:12170
 
资料名称:Am29LV200B-100FEB
 
文件大小: 478.07K
   
说明
 
介绍:
2 Megabit (256 K x 8-Bit/128 K x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
初步的
Publication#
20513
rev:
D
amendment/
+1
公布 日期:
march 1998
Am29LV200
2 megabit (256 k x 8-位/128 k x 16-位)
cmos 3.0 volt-仅有的 激励 sector flash 记忆
distinctive 特性
单独的 电源 供应 运作
全部 电压 范围: 2.7 至 3.6 volt 读 和 写
行动 为 电池-powered 产品
管制 电压 范围: 3.0 至 3.6 volt 读 和
写 行动 和 为 兼容性 和 高
效能 3.3 volt 微处理器
全部 电压 范围: 进入 时间 作 快 作 100
ns
管制 电压 范围: 进入 时间 作 快 作
90 ns
过激 低 电源 消耗量 (典型 值 在 5
mhz)
200 na 自动 睡眠 模式 电流
200 na 备用物品 模式 电流
10 毫安 读 电流
20 毫安 程序/擦掉 电流
有伸缩性的 sector architecture
一个 16 kbyte, 二 8 kbyte, 一个 32 kbyte, 和
三 64 kbyte sectors (字节 模式)
一个 8 kword, 二 4 kword, 一个 16 kword, 和
三 32 kword sectors (文字 模式)
支持 全部 碎片 擦掉
sector 保护 特性:
一个 硬件 方法 的 locking 一个 sector 至 阻止
任何 程序 或者 擦掉 行动 在里面 那
sector
sectors 能 是 锁 通过 程序编制
设备
temporary sector unprotect 特性 准许 代号
改变 在 先前 锁 sectors
顶 或者 bottom 激励 块 配置
embedded algorithms
embedded 擦掉 algorithm automatically
preprograms 和 erases 这 全部 碎片 或者 任何
结合体 的 designated sectors
embedded 程序 algorithm automatically
写 和 核实 数据 在 指定 地址
典型 1,000,000 写 循环 每 sector
(100,000 循环 最小 有保证的)
包装 选项
48-管脚 tsop
44-管脚 所以
兼容性 和 电子元件工业联合会 standards
引脚 和 软件 兼容 和 单独的-
电源 供应 flash
更好的 inadvertent 写 保护
data# polling 和 toggle 位
提供 一个 软件 方法 的 detecting 程序
或者 擦掉 运作 completion
准备好/busy# 管脚 (ry/by#)
提供 一个 硬件 方法 的 detecting
程序 或者 擦掉 循环 completion
擦掉 suspend/擦掉 重新开始
suspends 一个 擦掉 运作 至 读 数据 从,
或者 程序 数据 至, 一个 sector 那 是 不 正在
erased, 然后 重新开始 这 擦掉 运作
硬件 重置 管脚 (reset#)
硬件 方法 至 重置 这 设备 至 读
排列 数据
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