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©
2000
mos 整体的 电路
µ
µµ
µ
pd442012a-x
2m-位 cmos 静态的 内存
128k-文字 用 16-位
扩展 温度 运作
数据 薄板
文档 非. m14671ej7v0ds00 (7th 版本)
日期 发行 july 2001 ns cp (k)
打印 在 日本
这 mark
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★★
★
显示 主要的 修订 点.
描述
这
µ
pd442012a-x 是 一个 高 速, 低 电源, 2,097,152 位 (131,072 words 用 16 bits) cmos 静态的 ram.
这
µ
pd442012a-x 有 二 碎片 使能 管脚 (/ce1, ce2) 至 扩展 这 capacity.
这
µ
pd442012a-x 是 packed 在 48-管脚 塑料 tsop (i) (正常的 bent).
特性
•
131,072 words 用 16 位 organization
•
快 进入 时间 : 50, 55, 70, 85, 100, 120 ns (max.)
•
字节 数据 控制 : /lb (i/o1 - i/o8), /ub (i/o9 - i/o16)
•
低 电压 运作
(bb 版本 : v
CC
= 2.7 至 3.6 v, bc 版本 : v
CC
= 2.2 至 3.6 v, dd 版本 : v
CC
= 1.8 至 2.2 v)
•
低 v
CC
数据 保持 : 1.0 v (最小值.)
•
运行 包围的 温度 : t
一个
= –25 至 +85 °c
•
输出 使能 输入 为 容易 应用
•
二 碎片 使能 输入 : /ce1, ce2
部分 号码 进入 时间 运行 供应 运行 包围的 供应 电流
ns (最大值.) 电压 温度 在 运行 在 备用物品 在 数据 保持
V °C 毫安 (最大值.)
µ
一个 (最大值.)
µ
一个 (最大值.)
µ
pd442012a-bbxxx 50
便条 1
, 55, 70, 85 2.7 至 3.6
−
25 至 +85 30
便条 2
42
35
便条 3
40
便条 4
µ
pd442012a-bcxxx 70, 85, 100 2.2 至 3.6 30
µ
pd442012a-ddxxx 85, 100, 120 1.8 至 2.2 15 3
注释 1.
V
CC
≥
3.0 v
2.
循环 时间
≥
70 ns
3.
循环 时间 = 55 ns
4.
循环 时间 = 50 ns
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