标识
V
DS
V
GS
I
DM
T
J
, t
STG
标识 典型值 最大值
26 40
50 75
R
θ
JL
14 24
接合面 和 存储 温度 范围
一个
P
D
°C
3
2.1
-55 至 150
T
一个
=70°C
I
D
-15
-12.8
-80
搏动 流 电流
B
电源 消耗
一个
T
一个
=25°C
持续的 流
电流
一个
最大 UnitsParameter
T
一个
=25°C
T
一个
=70°C
绝对 最大 比率 t
一个
=25°c 除非 否则 指出
V
v±25gate-源 电压
流-源 电压 -30
°c/w
最大 接合面-至-包围的
一个
稳步的-状态
°c/w
W
最大 接合面-至-含铅的
C
稳步的-状态
°c/w
热的 特性
参数 单位
最大 接合面-至-包围的
一个
t
≤
10s
R
θ
JA
AO4413
p-频道 增强 模式 地方 效应 晶体管
六月 2002
特性
V
DS
(v) = -30v
I
D
= -15a
R
ds(在)
< 7m
Ω
(v
GS
= -20v)
R
ds(在)
< 8.5m
Ω
(v
GS
= -10v)
一般 描述
这 ao4413 使用 先进的 trench 技术 至
提供 极好的 r
ds(在)
, 和 过激-低 低 门
承担 和 一个 25v 门 比率. 这个 设备 是 合适的
为 使用 作 一个 加载 转变 或者 在 pwm 产品.
soic-8
顶 视图
G
D
S
G
S
S
S
D
D
D
D
alpha &放大; omega 半导体, 有限公司.