标识
V
DS
V
GS
I
DM
T
J
, t
STG
标识 典型值 最大值
47.5 62.5
74 110
R
θ
JL
37 50
接合面 和 存储 温度 范围
一个
P
D
°C
2
1.4
-55 至 150
T
一个
=70°C
I
D
-5
-4.2
-20
搏动 流 电流
B
电源 消耗
一个
T
一个
=25°C
持续的 流
电流
一个
最大 UnitsParameter
T
一个
=25°C
T
一个
=70°C
绝对 最大 比率 t
一个
=25°c 除非 否则 指出
V
v±20gate-源 电压
流-源 电压 -30
°c/w
最大 接合面-至-包围的
一个
稳步的-状态
°c/w
W
最大 接合面-至-含铅的
C
稳步的-状态
°c/w
热的 特性
参数 单位
最大 接合面-至-包围的
一个
t
≤
10s
R
θ
JA
AO6405
p-频道 增强 模式 地方 效应 晶体管
8月 2002
特性
V
DS
(v) = -30v
I
D
= -5 一个
R
ds(在)
< 52m
Ω
(v
GS
= -10v)
R
ds(在)
< 87m
Ω
(v
GS
= -4.5v)
一般 描述
这 ao6405 使用 先进的 trench 技术 至
提供 极好的 r
ds(在)
和
低 门 承担. 这个
设备 是 合适的 为 使用 作 一个 加载 转变 或者 在 pwm
产品.
TSOP6
顶 视图
G
D
S
G
D
D
S
D
D
1
2
3
6
5
4
alpha &放大; omega 半导体, 有限公司.