g
d
s
特性 / 测试一下 条件
漏源 击穿 电压 (v
gs
= 0v, 我
d
= 250
µ
一个)
开启 州 排水管 电流
2
(v
ds
> 我
d(开启)
x 右
ds(开启)
最大值, v
gs
= 10v)
漏源 开启状态 电阻
2
(v
gs
= 10v, 0.5 我
d[cont.]
)
零 闸门 电压 排水管 电流 (v
ds
= v
DSS
, v
gs
= 0v)
零 闸门 电压 排水管 电流 (v
ds
= 0.8 v
DSS
, v
gs
= 0v, t
c
= 125
°
c)
栅极-源极 泄漏 电流 (v
gs
=
±
30v, v
ds
= 0v)
闸门 阈值 电压 (v
ds
= v
gs
, 我
d
= 2.5ma)
050-5566 rev b
最大值 额定值
全部 额定值: t
c
= 25
°
c 除非 否则 指定.
符号
v
DSS
我
d
我
dm
v
gs
v
GSM
p
d
t
j
,t
stg
t
l
我
ar
e?
ar
e?
作为
参数
漏源 电压
连续 排水管 电流 @ t
c
= 25
°
c
脉冲 排水管 电流
1
栅极-源极 电压 连续
栅极-源极 电压 瞬态
合计 电源 耗散 @ t
c
= 25
°
c
线性 降额 因素
操作 和 存储 接合点 温度 范围
铅 温度: 0.063" 从 案例 用于 10 秒.
雪崩 电流
1
(重复性 和 非-重复性)
重复性 雪崩 能源
1
单独 脉冲 雪崩 能源
4
单位
伏特
安培数
伏特
瓦特
w/
°
c
°
c
安培数
mJ
静态 电气 特性
符号
BV
DSS
我
d(开启)
右
ds(开启)
我
DSS
我
GSS
v
gs(th)
单位
伏特
安培数
欧姆
µ
一个
不适用
伏特
最小 典型值 最大值
1000
21
0.500
25
250
±
100
24
APT10050LVR
1000
21
84
±
30
±
40
520
4.16
-55 至 150
300
21
50
2500
APT10050LVR
1000V 21A 0.500
Ω
至-264
电源 mos v
®
是 一个 新建 世代 的 高 电压 n通道 增强功能
模式 电源 mosfets. 这个 新建 技术 最小化 这 jfet 效果,
增加 填料 密度 和 减少 这 开启-电阻. 电源 mos v
®
也 达到 更快 开关 速度 通过 优化 闸门 布局.
• 更快 开关 • 100% 雪崩 已测试
• 下部 泄漏 • 受欢迎 至-264 包装
电源 mos v
®
注意事项:
这些 设备 是 敏感 至 静电 放电. 适当的 搬运 程序 应该 是 跟踪.
USA
405 s.w. columbia 街道 弯管, oregon 97702-1035 电话: (541)382-8028 传真: (541)388-0364
欧洲
avenue j.f. kennedy bât b4 parc cadéra nord f-33700 merignac - 法国 电话: (33) 5 57 92 15 15 传真: (33) 5 56 47 97 61
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