典型的 / 测试 情况
流-源 损坏 电压 (v
GS
= 0v, i
D
= 250
µ
一个)
在 状态 流 电流
2
(v
DS
> i
d(在)
x r
ds(在)
最大值, v
GS
= 10v)
流-源 在-状态 阻抗
2
(v
GS
= 10v, 0.5 i
d[cont.]
)
零 门 电压 流 电流 (v
DS
= v
DSS
, v
GS
= 0v)
零 门 电压 流 电流 (v
DS
= 0.8 v
DSS
, v
GS
= 0v, t
C
= 125
°
c)
门-源 泄漏 电流 (v
GS
=
±
30v, v
DS
= 0v)
门 门槛 电压 (v
DS
= v
GS
, i
D
= 1.0ma)
050-5562 rev b
最大 比率
所有 比率: t
C
= 25
°
c 除非 否则 指定.
标识
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
T
J
,t
STG
T
L
I
AR
E
AR
E
作
参数
流-源 电压
持续的 流 电流 @ t
C
= 25
°
C
搏动 流 电流
1
门-源 电压 持续的
门-源 电压 瞬时
总的 电源 消耗 @ t
C
= 25
°
C
直线的 减额 因素
运行 和 存储 接合面 温度 范围
含铅的 温度: 0.063" 从 情况 为 10 秒.
avalanche 电流
1
(repetitive 和 非-repetitive)
repetitive avalanche 活力
1
单独的 脉冲波 avalanche 活力
4
单位
伏特
放大器
伏特
Watts
w/
°
C
°
C
放大器
mJ
静态的 电的 特性
标识
BV
DSS
I
d(在)
R
ds(在)
I
DSS
I
GSS
V
gs(th)
单位
伏特
放大器
Ohms
µ
一个
nA
伏特
最小值 典型值 最大值
1000
13
0.86
25
250
±
100
24
APT10086BVR
1000
13
52
±
30
±
40
370
2.96
-55 至 150
300
13
30
1300
至-247
APT10086BVR
1000V 13A 0.860
Ω
电源 mos v
®
是 一个 新 一代 的 高 电压 n-频道 增强
模式 电源 mosfets. 这个 新 技术 降低 这 jfet 效应,
增加 包装 密度 和 减少 这 在-阻抗. 电源 mos v
®
也 achieves faster 切换 speeds 通过 优化 门 布局.
• faster 切换 • 100% avalanche 测试
• 更小的 泄漏 • popular 至-247 包装
G
D
S
电源 mos v
®
提醒:
这些 设备 是 敏感的 至 静电的 释放. 恰当的 处理 程序 应当 是 followed.
USA
405 s.w. columbia 街道 bend, oregon 97702-1035 phone: (541)382-8028 传真: (541)388-0364
欧洲
avenue j.f. kennedy bât b4 parc cadéra nord f-33700 merignac - 法国 phone: (33) 5 57 92 15 15 传真: (33) 5 56 47 97 61
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