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资料编号:138668
 
资料名称:APT1001R1BN
 
文件大小: 52.1K
   
说明
 
介绍:
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS
 
 


: 点此下载
 
1
浏览型号APT1001R1BN的Datasheet PDF文件第2页
2
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3
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4
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
符号
v
DSS
d
dm
v
gs
p
d
t
j
,t
stg
t
l
参数
漏源 电压
连续 排水管 电流 @ t
c
= 25
°
c
脉冲 排水管 电流
1
栅极-源极 电压
合计 电源 耗散 @ t
c
= 25
°
c
线性 降额 因素
操作 和 存储 接合点 温度 范围
铅 温度: 0.063" 从 案例 用于 10 秒.
静态 电气 特性
特性 / 测试一下 条件 / 零件 号码
漏源 击穿 电压
(v
gs
= 0v, 我
d
= 250
µ
一个)
开启 州 排水管 电流
2
(v
ds
> 我
d
(开启) x 右
ds
(开启) 最大值, v
gs
= 10v)
漏源 开启状态 电阻
2
(v
gs
= 10v, 0.5 我
d
[cont.])
零 闸门 电压 排水管 电流 (v
ds
= v
DSS
, v
gs
= 0v)
零 闸门 电压 排水管 电流 (v
ds
= 0.8 v
DSS
, v
gs
= 0v, t
c
= 125
°
c)
栅极-源极 泄漏 电流 (v
gs
=
±
30v, v
ds
= 0v)
闸门 阈值 电压 (v
ds
= v
gs
, 我
d
= 1.0ma)
热 特性
符号
θ
jc
θ
ja
特性
接合点 至 案例
接合点 至 环境
最小 典型值 最大值
0.40
40
单位
°
c/w
符号
BV
DSS
d
(开启)
ds
(开启)
DSS
GSS
v
gs
(th)
最小 典型值 最大值
APT1001R1BN
1000
APT1001R3BN
1000
APT1001R1BN
10.5
APT1001R3BN
10
APT1001R1BN
1.10
APT1001R3BN
1.30
250
1000
±
100
24
单位
伏特
安培数
欧姆
µ
一个
不适用
伏特
单位
伏特
安培数
伏特
瓦特
w/
°
c
°
c
apt apt
1001RBN 1001R3BN
1000 1000
10.5 10
42 40
±
30
310
2.48
-55 至 150
300
最大值 额定值
全部 额定值: t
c
= 25
°
c 除非 否则 指定.
注意事项:
这些 设备 是 敏感 至 静电 放电. 适当的 搬运 程序 应该 是 跟踪.
APT1001R1BN 1000V 10.5a 1.10
APT1001R3BN 1000V 10.0a 1.30
n- 频道 增强功能 模式电压 电源 mosfets
电源 mos 四
®
050-0007 rev c
至-247
USA
405 s.w. columbia 街道 弯管, oregon 97702-1035 电话: (541)382-8028 传真: (541)388-0364
欧洲
avenue j.f. kennedy bât b4 parc cadéra nord f-33700 merignac - 法国 电话: (33) 5 57 92 15 15 传真: (33) 5 56 47 97 61
g
d
s
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