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特点
•
单独 2.5v - 3.6v 或 2.7v - 3.6v 供应
•
串行 外围设备 接口 (spi) 兼容
•
第页 程序 操作
– 单独 循环 重新编程 (擦除 和 程序)
– 4096 页数 (264 字节数/第页) 主 记忆
•
支架 第页 和 块 擦除 运营
•
两个 264-字节 sram 数据 缓冲区 – 允许 收货 的 数据
同时 重新编程 的 非挥发性 记忆
•
连续 阅读 能力 通过 整个 阵列
– 理想 用于 代码 shadowing 应用程序
•
低 电源 耗散
– 4 ma 活动 阅读 电流 典型
– 2 µa cmos 备用 电流 典型
•
20 mhz 最大值 时钟 频率
•
硬件 数据 保护 功能
•
100% 兼容 至 at45db081 和 at45db081a
•
5.0v-宽容 输入: si, sck, cs, 重置和 wp针脚
•
商业 和 工业 温度 范围
描述
这 at45db081b 是 一个 2.5-电压 或 2.7-电压 仅, 串行 接口 闪光灯 记忆 理想情况下
适合 用于 一个 宽 品种 的 数字 语音-, 图像-, 程序 代码- 和 数据-存储
应用程序. 其 8,650,752 比特 的 记忆 是 有组织的 作为 4096 页数 的 264 字节数
每个. 入点 加法 至 这 主 记忆, 这 at45db081b 也 包含 两个SRAM
数据 缓冲区 的 264 字节数 每个. 这 缓冲区 允许 收货 的 数据 同时 一个 第页 入点 这
主 记忆 是 正在 重新编程, 作为 井 作为 阅读 或 写作 一个 连续 数据
8-兆位
2.5-电压 仅 或
2.7-电压 仅
DataFlash
®
AT45DB081B
rev. 2225c–12/01
(续)
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管脚 配置
管脚 姓名 功能
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芯片 选择
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硬件 第页 写
保护 管脚
重置
芯片 重置
rdy/忙
准备就绪/忙