1
特性
•
单独的 2.5v - 3.6v 或者 2.7v - 3.6v 供应
•
串行 附带的 接口 (spi) 兼容
•
页 程序 运作
– 单独的 循环 reprogram (擦掉 和 程序)
– 4096 页 (264 字节/页) 主要的 记忆
•
支持 页 和 块 擦掉 行动
•
二 264-字节 sram 数据 缓存区 – 准许 接到 的 数据
当 reprogramming 的 nonvolatile 记忆
•
持续的 读 能力 通过 全部 排列
– 完美的 为 代号 shadowing 产品
•
低 电源 消耗
– 4 毫安 起作用的 读 电流 典型
– 2 µa cmos 备用物品 电流 典型
•
20 mhz 最大值 时钟 频率
•
硬件 数据 保护 特性
•
100% 兼容 至 at45db081 和 at45db081a
•
5.0v-tolerant 输入: si, sck, cs, 重置和 wp管脚
•
商业的 和 工业的 温度 范围
描述
这 at45db081b 是 一个 2.5-volt 或者 2.7-volt 仅有的, 串行 接口 flash 记忆 ideally
suited 为 一个 宽 多样性 的 数字的 voice-, image-, 程序 代号- 和 数据-存储
产品. 它的 8,650,752 位 的 记忆 是 有组织的 作 4096 页 的 264 字节
各自. 在 增加 至 这 主要的 记忆, 这 at45db081b 也 包含 二SRAM
数据 缓存区 的 264 字节 各自. 这 缓存区 准许 接到 的 数据 当 一个 页 在 这
主要的 记忆 是 正在 reprogrammed, 作 好 作 读 或者 writing 一个 持续的 数据
8-megabit
2.5-volt 仅有的 或者
2.7-volt 仅有的
DataFlash
®
AT45DB081B
rev. 2225c–12/01
(持续)
tsop 顶 视图
Type1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
rdy/busy
重置
WP
NC
NC
VCC
地
NC
NC
NC
CS
SCK
SI
所以
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
cbga 顶 视图
通过 包装
一个
B
C
D
E
12 3
NC
VCC
WP
重置
NC
NC
地
rdy/bsy
SI
NC
SCK
CS
所以
NC
SOIC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
地
NC
NC
CS
SCK
SI
所以
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
VCC
NC
NC
WP
重置
rdy/busy
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
管脚 配置
管脚 名字 函数
CS
碎片 选择
SCK 串行 时钟
SI 串行 输入
所以 串行 输出
WP
硬件 页 写
保护 管脚
重置
碎片 重置
rdy/busy
准备好/busy
: 点此下载
