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资料编号:160175
 
资料名称:BAS70LT1
 
文件大小: 45.87K
   
说明
 
介绍:
SCHOTTKY BARRIER DIODES
 
 


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浏览型号BAS70LT1的Datasheet PDF文件第2页
2
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
leshan 无线电 公司, 有限公司.
bas70lt1–1/2
肖特基 屏障 二极管
BAS70LT1
1
3
2
情况 318–08, 样式 11
sot–23 (to–236ab)
*
70v 肖特基 屏障 二极管
这些 肖特基 屏障 二极管 是 设计 为 高 速
切换 产品, 电路 保护, 和 电压 夹紧.
极其 低 向前 电压 减少 传导 丧失. 最小值-
iature 表面 挂载 包装 是 极好的 为 hand 使保持 和
极其 快 切换 速
低 向前 电压 — 0.75 伏特 (典型值) @ i
F
= 10 madc
ANODE
1
CATHODE
3
最大 比率
(t
J
= 150°c 除非 否则 指出)
比率 标识 单位
反转 电压 V
R
70 伏特
向前 电源 消耗 P
F
@ t
一个
= 25°c 225 mW
减额 在之上 25°c 1.8 mw/°c
运行 接合面 和 存储
T
J
, t
stg
–55 至 +150 °C
温度 范围
电的 特性
(t
一个
= 25°c 除非 否则 指出)
典型的 标识 最小值 最大值 单位
反转 损坏 电压 (i
R
= 10
µ
一个) V
(br)r
70 伏特
总的 电容 (v
R
= 1.0 v, f = 1.0 mhz) C
T
2.0 pF
反转 泄漏 (v
R
= 50 v) I
R
0.1
µ
模数转换器
(v
R
= 70v) 10
向前 voltage (i
F
= 1.0 madc) V
F
410 mVdc
向前 voltage (i
F
= 10 madc) V
F
750 mVdc
向前 voltage (i
F
= 15 madc) V
F
1.0 Vdc
设备 标记
bas70lt1= 是
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