三月-10-2004
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bas116...
硅 低 泄漏 二极管
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低-泄漏 产品
•
中等 速 切换 时间
BAS116
类型 包装 配置 标记
BAS116 SOT23 单独的 JVs
最大 比率
在
T
一个
= 25°c, 除非 否则 指定
参数 标识 值 单位
二极管 反转 电压
V
R
80 V
顶峰 反转 电压
V
RM
85
向前 电流
I
F
250 毫安
非-repetitive 顶峰 surge 向前 电流
t
= 1 µs
t
= 1 s
I
FSM
4.5
0.5
一个
总的 电源 消耗
T
S
≤
54°C
P
tot
370 mW
接合面 温度
T
j
150 °C
存储 温度
T
stg
-65 ... 150
热的 阻抗
参数 标识 值 单位
接合面 - 焊接 要点
1)
BAS116
R
thJS
≤
260
k/w
1
为 计算 的
R
thJA
请 谈及 至 应用 便条 热的 阻抗