©2004 仙童 半导体 公司 bas16ht1g, rev. 一个
BAS16HT1G
小 信号 二极管
绝对 最大 比率 *
T
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出
* 这些 比率 是 限制的 值 在之上 这个 这 serviceability 的 这 二极管 将 是 impaired.
注释:
1) 这些 比率 是 为基础 在 一个 最大 接合面 温度 的 150 degrees c.
2) 这些 是 稳步的 限制. 这 工厂 应当 是 consulted 在 产品 involving 搏动 或者 低 职责 循环 行动.
热的 特性
电的 特性
T
一个
=25
°
c 除非 否则 指出
标识 参数 值 单位
V
RRM
最大 repetitive 反转 电压 85 V
I
f(av)
平均 调整的 向前 电流 200 毫安
I
FSM
非-repetitive 顶峰 向前 surge 电流
脉冲波 宽度 = 1.0 第二 600 毫安
T
STG
存储 温度 范围 -65 至 +150
°
C
T
J
运行 接合面 温度 -55 至 +150
°
C
标识 参数 值 单位
P
D
电源 消耗 200 mW
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面 至 包围的 600
°
c/w
标识 参数 测试 情况 最小值 最大值 单位
V
R
损坏 电压 I
R
= 5.0
µ
A85V
V
F
向前 电压 I
F
= 1.0ma
I
F
= 10ma
I
F
= 50ma
I
F
= 150ma
715
855
1.0
1.25
mV
mV
V
V
I
R
反转 泄漏 V
R
= 75v
V
R
= 25v, t
一个
= 150
°
C
V
R
= 75v, t
一个
= 150
°
C
1.0
30
50
µ
一个
µ
一个
µ
一个
C
T
总的 电容 V
R
= 0, f = 1.0mhz 2.0 pF
t
rr
反转 恢复 时间 I
F
= i
R
= 10ma, i
RR
= 1.0ma,
R
L
= 100
Ω
6.0 ns
BAS16HT1G
连接 图解
2
1
1
2
A1
sod-323
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