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CentralCentral
CentralCentral
Central
半导体 corp.半导体 corp.
半导体 corp.半导体 corp.
半导体 corp.
TM
sot-143 情况
BAS56
双 高 电流
切换 二极管
描述:
这 central 半导体 bas56
类型 是 一个 过激-高 速 硅 切换
二极管 制造的 用 这 外延的 planar
处理, 在 一个 环氧的 模塑的 表面 挂载
包装 和 分开的 双 二极管, 设计
为 高 电流, 高 速 切换
产品.
标记 代号 是 l51.
最大 比率
(t
一个
=25
o
c)
标识 单位
持续的 反转 电压 V
R
60 V
顶峰 repetitive 反转 电压 V
RRM
60 V
持续的 向前 电流 I
F
200 毫安
顶峰 repetitive 向前 电流 I
FRM
600 毫安
向前 surge 电流, tp=1
µ
秒. I
FSM
4000 毫安
向前 surge 电流, tp=1 秒. I
FSM
1000 毫安
电源 消耗 P
D
350 mW
运行 和 存储
接合面 温度 T
J
,t
stg
-65 至 +150
o
C
热的 阻抗
Θ
JA
357 
o
c/w
电的 特性
(t
一个
=25
o
c 除非 否则 指出)
标识 测试 情况 最小值 最大值 单位
I
R
V
R
=60V 100 nA
I
R
V
R
=60v, t
一个
=150
o
C 100
µ
一个
I
R
V
R
=75V 10
µ
一个
V
F
I
F
=10mA 0.75 V
V
F
I
F
=200mA 1.00 V
V
F
I
F
=500mA 1.25 V
C
T
V
R
=0, f=1 mhz 2.5 pF
t
rr
I
F
=I
R
=400ma, r
L
=100
Ω
, rec. 至 40ma
6.0 ns
Q
s
I
F
=10ma, v
R
=5.0v, r
L
=500
Ω
50 pC
V
FR
I
F
=400ma, t
r
=30ns 1.2 V
V
FR
I
F
=400ma, t
r
=100ns 1.5 V

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60 CentralCentral CentralCentral Central 半导体 corp.半导体 corp. 半导体 corp.半导体 corp. 半导体 corp. TM sot-143 情况 BAS56 双高电流切换二极管描述: 这 central 半导体 bas56 类型是一个过激-高速硅切换二极管制造的用这外延的 planar 处理, 在一个环氧的模塑的表面挂载包装和分开的双二极管, 设计为高电流, 高速切换产品. 标记代号是 l51. 最大比率 (t 一个 =25 o c) 标识单位持续的反转电压 V R 60 V 顶峰 repetitive 反转电压 V RRM 60 V 持续的向前电流 I F 200 毫安顶峰 repetitive 向前电流 I FRM 600 毫安向前 surge 电流, tp=1 µ 秒. I FSM 4000 毫安向前 surge 电流, tp=1 秒. I FSM 1000 毫安电源消耗 P D 350 mW 运行和存储接合面温度 T J ,t stg -65 至 +150 o C 热的阻抗 Θ JA 357 o c/w 电的特性 (t 一个 =25 o c 除非否则指出) 标识测试情况最小值最大值单位 I R V R =60V 100 nA I R V R =60v, t 一个 =150 o C 100 µ 一个 I R V R =75V 10 µ 一个 V F I F =10mA 0.75 V V F I F =200mA 1.00 V V F I F =500mA 1.25 V C T V R =0, f=1 mhz 2.5 pF t rr I F =I R =400ma, r L =100 Ω , rec. 至 40ma 6.0 ns Q s I F =10ma, v R =5.0v, r L =500 Ω 50 pC V FR I F =400ma, t r =30ns 1.2 V V FR I F =400ma, t r =100ns 1.5 V

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