BAS31
高 电压 一般 目的 二极管
sourced 从 处理 1h. 看 bav19 / 20 / 21 为 特性.
绝对 最大 ratings*
ta = 25°c 除非 否则 指出
*
这些 比率 是 限制的 值 在之上 这个 这 serviceability 的 任何 半导体 设备 将 是 impaired.
注释
:
1)
这些 比率 是 为基础 在 一个 最大 接合面 温度 的 150 degrees c.
2)
这些 是 稳步的 状态 限制. 这 工厂 应当 是 consulted 在 产品 involving 搏动 或者 低 职责 循环 行动.
热的 特性
ta = 25°c 除非 否则 指出
标识 参数 值 单位
W
IV
working inverse 电压 90 V
I
O
一个verage rect如果iedCurrent 200 毫安
I
F
直流 向前 电流 600 毫安
i
f
Recurrent peakForward current 700 毫安
i
f(surge)
Peak forward surgeCurrent
Pulse width = 1.0second
Pulse width = 1.0microsec在d
1.0
2.0
一个
一个
T
stg
Storage temperatureRange -50至+150
°
C
T
J
OperatingJunctionTemperature 150
°
C
标识 典型的 最大值 单位
BAS31
P
D
总的 设备 消耗
Derateabove25
°
C
350
2.8
mW
mW/
°
C
R
θ
JA
ThermalResistance, junc德州仪器在至Ambient 357
°
c/w
3
21
CONNECTION图解
L21
3
12
sot-23
3
1
2
BAS31
分离的 电源 &放大; 信号
科技
1997 仙童 半导体 公司
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