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资料编号:160498
 
资料名称:BAS16WT1
 
文件大小: 98.09K
   
说明
 
介绍:
Silicon Switching Diode
 
 


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1
motorola small–signal 晶体管, fets 和 二极管 设备 数据
切换 二极管
最大 比率
(t
一个
= 25
°
c)
比率
标识 最大值 单位
持续的 反转 电压 V
R
75 V
recurrent 顶峰 向前 电流 I
R
200 毫安
顶峰 向前 surge 电流
脉冲波 宽度 = 10
µ
s
I
fm(surge)
500 毫安
总的 电源 消耗, 一个 二极管 承载
T
一个
= 25
°
C
减额 在之上 25
°
C
挂载 在 一个 陶瓷的 基质
(10 x 8 x 0.6 mm)
P
D
200
1.6
mW
mw/
°
C
运行 和 存储 接合面
温度 范围
T
J
, t
stg
热的 特性
典型的 标识 最大值 单位
热的 阻抗, 接合面 至 包围的
一个 二极管 承载
挂载 在 一个 陶瓷的 基质
(10 x 8 x 0.6 mm)
R
θ
JA
0.625
°
c/mw
设备 标记
A6
电的 特性
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出)
典型的
标识 最小值 最大值 单位
向前 电压
(i
F
= 1.0 毫安)
(i
F
= 10 毫安)
(i
F
= 50 毫安)
(i
F
= 150 毫安)
V
F
715
866
1000
1250
mV
反转 电流
(v
R
= 75 v)
(v
R
= 75 v, t
J
= 150
°
c)
(v
R
= 25 v, t
J
= 150
°
c)
I
R
1.0
50
30
µ
一个
电容
(v
R
= 0, f = 1.0 mhz)
C
D
2.0 pF
反转 恢复 时间
(i
F
= i
R
= 10 毫安, r
L
= 50
) (图示 1)
t
rr
6.0 ns
贮存 承担
(i
F
= 10 毫安 至 v
R
= 6.0 v, r
L
= 500
) (图示 2)
QS 45 PC
向前 恢复 电压
(i
F
= 10 毫安, t
r
= 20 ns) (图示 3)
V
FR
1.75 V
热的 clad 是 一个 商标 的 这 bergquist 公司
Preferred
设备 是 motorola 推荐 choices 为 future 使用 和 最好的 整体的 值.
顺序 这个 文档
用 bas16wt1/d
MOTOROLA
半导体 技术的 数据
BAS16WT1
motorola preferred 设备
情况 419–02, 样式 2
sc–70/sot–323
1
2
3
motorola, 公司 1997
3
CATHODE
1
ANODE
rev 1
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