BAS70-06S_集成电路资料查询网

bas 70-06s
半导体 组
sep-07-19981
硅 肖特基 二极管 排列
•
一般-目的 二极管 为 高-速 切换
•
电路 保护
•
电压 夹紧
•
高-水平的 detecting 和 混合
•
有 和 cecc 质量 assessment
VPS05604
6
3
1
5
4
2
类型 标记 订货 代号 管脚 配置 包装
bas 70-06s 76s q62702-a3469 1/4=c1 2/5=c2 sot-3633/6=a1/a2
最大 比率
参数 标识 值 单位
二极管 反转 电压
V
R
70 V
向前 电流
I
F
70 毫安
surge 向前 电流 (t
<
100
µ
s)
I
FSM
100
总的 电源 消耗,
T
S
≤
72 °c
P
tot
250 mW
接合面 温度
T
j
150 °C
运行 温度 范围
T
运算
- 55 ...+150
存储 温度
T
stg
- 55 ...+150
热的 阻抗
接合面 - 包围的
1)
R
thJA
≤
545
k/w
接合面 - 焊接 要点
R
thJS
≤
310
1) 包装 挂载 在 环氧的 pcb 40mm x 40mm x 1.5mm / 0.5cm
2
Cu
半导体 组 1 1998-11-01

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bas 70-06s 半导体组 sep-07-19981 硅肖特基二极管排列 • 一般-目的二极管为高-速切换 • 电路保护 • 电压夹紧 • 高-水平的 detecting 和混合 • 有和 cecc 质量 assessment VPS05604 6 3 1 5 4 2 类型标记订货代号管脚配置包装 bas 70-06s 76s q62702-a3469 1/4=c1 2/5=c2 sot-3633/6=a1/a2 最大比率参数标识值单位二极管反转电压 V R 70 V 向前电流 I F 70 毫安 surge 向前电流 (t < 100 µ s) I FSM 100 总的电源消耗, T S ≤ 72 °c P tot 250 mW 接合面温度 T j 150 °C 运行温度范围 T 运算 - 55 ...+150 存储温度 T stg - 55 ...+150 热的阻抗接合面 - 包围的 1) R thJA ≤ 545 k/w 接合面 - 焊接要点 R thJS ≤ 310 1) 包装挂载在环氧的 pcb 40mm x 40mm x 1.5mm / 0.5cm 2 Cu 半导体组 1 1998-11-01

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