BAS125-07W_集成电路资料查询网

bas125-07w
8月-16-20011
硅 肖特基 二极管

为 低-丧失, 快-恢复, 计量表 保护,
偏差 分开 和 夹紧 产品

整体的 diffused 守卫 环绕

低 向前 电压
VPS05605
4
2
1
3
32
EHA07008
14
静电释放
:
E
lectro
s
tatic
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ischarge 敏感的 设备, 注意到 处理 precaution!
类型 标记 管脚 配置 包装
bas125-07w 17s 1 = c1 2 = c2 3 = a2 4 = a1
SOT343
最大 比率
参数 标识 值 单位
二极管 反转 电压
V
R
25 V
向前 电流
I
F
100 毫安
surge 向前 电流 (t

100

s)
I
FSM
500
总的 电源 消耗
,
T
S
= 96 °c
P
tot
250 mW
接合面 温度
T
j
150 °C
存储 温度
T
stg
-55 ... 150
最大 比率
接合面 - 焊接 要点
1)
R
thJS

215 k/w
1
为 计算 的
R
thJA
请 谈及 至 应用 便条 热的 阻抗

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bas125-07w 8月-16-20011 硅肖特基二极管  为低-丧失, 快-恢复, 计量表保护, 偏差分开和夹紧产品  整体的 diffused 守卫环绕  低向前电压 VPS05605 4 2 1 3 32 EHA07008 14 静电释放 : E lectro s tatic d ischarge 敏感的设备, 注意到处理 precaution! 类型标记管脚配置包装 bas125-07w 17s 1 = c1 2 = c2 3 = a2 4 = a1 SOT343 最大比率参数标识值单位二极管反转电压 V R 25 V 向前电流 I F 100 毫安 surge 向前电流 (t  100  s) I FSM 500 总的电源消耗 , T S = 96 °c P tot 250 mW 接合面温度 T j 150 °C 存储温度 T stg -55 ... 150 最大比率接合面 - 焊接要点 1) R thJS  215 k/w 1 为计算的 R thJA 请谈及至应用便条热的阻抗

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