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资料编号:160546
 
资料名称:BAS33
 
文件大小: 35.46K
   
说明
 
介绍:
Silicon Planar Diodes
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
bas33.bas34
vishay telefunken
rev. 2, 01-apr-99 1 (3)
www.vishay.de
faxback +1-408-970-5600
文档 号码 85541
硅 planar 二极管
特性
D
非常 低 反转 电流
产品
保护 电路, 时间 延迟 电路, 顶峰 追随着
电路, logarithmic 放大器
94 9367
绝对 最大 比率
T
j
= 25
_
C
参数
反转 电压 BAS33 V
R
30 Vg
BAS34 V
R
60 V
顶峰 向前 surge 电流 t
p
=1
m
s I
FSM
2 一个
向前 电流 I
F
200 毫安
接合面 温度 T
j
200
°
C
存储 温度 范围 T
stg
–65...+200
°
C
最大 热的 阻抗
T
j
= 25
_
C
参数
接合面 包围的 l=4mm, t
L
=constant R
thJA
350 k/w
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