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bas85t-01i
硅 肖特基 屏障 二极管
机械的 数据
glass 情况
重量: 0.05g (approx)
最大 比率
* 有效的 提供 那 electrodes 是 保持 在 包围的 温度.
为 一般 产品
低 转变-在 电压
PN 接合面 守卫 环绕
电的 特性
C
一个
B
最小值 最大值
一个 3.4 3.6
B 1.40 1.50
C 0.20 0.40
所有 维度 在 mm
典型的 标识 值 单位
持续的 反转 电压
V
R
30 V
向前 持续的 current*
I
F
200 毫安
顶峰 向前 电流 *
I
FM
300 毫安
surge 向前 current* @ t
p
= 1s
I
FSM
600 毫安
电源 dissipation* @ t
一个
= 65°c
P
tot
250 mW
接合面 温度
T
j
125 °C
运行 温度 范围
T
一个
-65 至 +125 °C
存储 温度 范围
T
STG
-65 至 +150 °C
典型的 标识 最小值 典型值 最大值 单位
反转 损坏 电压
10 µa 脉冲
V
(br)r
30 — — V
@T
j
= 25°c 除非 否则 指定
@ t
一个
= 25°c 除非 否则 指定
特性
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