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资料编号:160626
 
资料名称:BAS86
 
文件大小: 28.37K
   
说明
 
介绍:
Schottky barrier diode
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
BAS86
vishay telefunken
rev. 3, 01-apr-99 1 (4)
www.vishay.de
faxback +1-408-970-5600
文档 号码 85511
肖特基 屏障 二极管
特性
D
整体的 保护 环绕 相反
静态的 释放
D
非常 低 向前 电压
产品
产品 在哪里 一个 非常 低 向前 电压
是 必需的
94 9371
T
j
= 25
_
C
参数 测试 情况 类型 标识 单位
反转 电压 V
R
50 V
顶峰 向前 surge 电流 t
p
=10 ms I
FSM
5 一个
repetitive 顶峰 向前 电流 t
p
1s I
FRM
500 毫安
向前 电流 I
F
200 毫安
平均 向前 电流 I
FAV
200 毫安
接合面 温度 T
j
125
°
C
存储 温度 范围 T
stg
–65...+150
°
C
最大 热的 阻抗
T
j
= 25
_
C
参数 测试 情况 标识 单位
接合面 包围的 在 pc 板 50mmx50mmx1.6mm R
thJA
320 k/w
电的 特性
T
j
= 25
_
C
参数 测试 情况 类型 标识 最小值 Typ 最大值 单位
向前 电压 I
F
=0.1ma V
F
300 mVg
I
F
=1mA V
F
380 mV
I
F
=10mA V
F
450 mV
I
F
=30mA V
F
600 mV
I
F
=100mA V
F
900 mV
反转 电流 V
R
=40V I
R
5
m
一个
二极管 电容 V
R
=1v, f=1mhz C
D
8 pF
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