BAS35
bas35, rev.
C
BAS35
小 信号 二极管
绝对 最大 ratings*
T
一个
= 25°c 除非 否则 指出
*
这些 比率 是 限制的 值 在之上 这个 这 serviceability 的 任何 半导体 设备 将 是 impaired.
注释
:
1)
这些 比率 是 为基础 在 一个 最大 接合面 温度 的 150 degrees c.
2)
这些 是 稳步的 状态 限制. 这 工厂 应当 是 consulted 在 产品 involving 搏动 或者 低 职责 循环 行动.
2001 仙童 半导体 公司
热的 特性
电的 特性
T
一个
= 25°c 除非 否则 指出
标识
参数
值
单位
V
RRM
最大 repetitive 反转 电压 120 V
I
f(av)
平均 调整的 向前 电流 200 毫安
I
FSM
非-repetitive 顶峰 向前 surge 电流
脉冲波 宽度 = 1.0 第二
脉冲波 宽度 = 1.0 microsecond
1.0
2.0
一个
一个
T
stg
存储 温度 范围 -55 至 +150
°
C
T
J
运行 接合面 温度 150
°
C
标识
参数
值
单位
P
D
电源 消耗 350 mW
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面 至 包围的 357
°
c/w
1
2
3
L22
12
3
连接 图解
3
1
2
sot-23
标识
参数
测试 情况
最小值
最大值
单位
V
R
损坏 电压
I
R
= 1.0 毫安 120
V
V
F
向前 电压 I
F
= 10 毫安
I
F
= 50 毫安
I
F
= 100 毫安
I
F
= 200 毫安
I
F
= 400 毫安
750
840
900
1.0
1.25
mV
mV
mV
V
V
I
R
反转 电流 V
R
= 90 v
V
R
= 90 v, t
一个
= 150
°
C
100
100
nA
µ
一个
C
T
总的 电容
V
R
= 0, f = 1.0 mhz
35 pf
t
rr
反转 恢复 时间 I
F
= i
R
= 10 毫安, i
RR
= 1.0 毫安,
R
L
= 100
Ω
50 ns
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