半导体 组件 industries, llc, 2001
六月, 2000 – rev. 1
1
发行 顺序 号码:
bc636/d
pnp 硅
最大 比率
比率 标识 值 单位
集电级-发射级 电压
BC636
BC638
BC640
V
CEO
–45
–60
–80
Vdc
集电级-根基 电压
BC636
BC638
BC640
V
CBO
–45
–60
–80
Vdc
发射级-根基 电压 V
EBO
–5.0 Vdc
集电级 电流 — 持续的 I
C
–0.5 模数转换器
总的 设备 消耗
@ t
一个
= 25
°
C
减额 在之上 25
°
C
P
D
625
5.0
mW
mw/
°
C
总的 设备 消耗
@ t
C
= 25
°
C
减额 在之上 25
°
C
P
D
1.5
12
Watts
mw/
°
C
运行 和 存储 接合面
温度 范围
T
J
, t
stg
–55 至
+150
°
C
热的 特性
典型的 标识 最大值 单位
热的 阻抗,
接合面 至 包围的
R
θ
JA
200
°
c/w
热的 阻抗,
接合面 至 情况
R
θ
JC
83.3
°
c/w
设备 包装 Shipping
订货 信息
BC636 TO–92
http://onsemi.com
情况 29
TO–92
样式 14
5000 单位/盒
3
2
1
BC636ZL1 TO–92 2000/ammo 包装
BC636–16ZL1 TO–92 2000/ammo 包装
BC638 TO–92 5000 单位/盒
BC638ZL1 TO–92 2000/ammo 包装
BC640 TO–92 5000 单位/盒
BC640ZL1 TO–92 2000/ammo 包装
BC640–16 TO–92 5000 单位/盒