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sot23 npn 硅 planar
中等 电源 晶体管
公布 5 – march 2001
✪
partmarking 详细信息
bc81716 – 6AZ
bc81725 – 6BZ
bc81740 – 6CZ
complementary 类型 – BC807
绝对 最大 比率.
参数 标识 值 单位
集电级-根基 电压 V
CBO
50 V
集电级-发射级 电压 V
CEO
45 V
发射级-根基 电压 V
EBO
5V
顶峰 脉冲波 电流 I
CM
1A
持续的 集电级 电流 I
C
500 毫安
根基 电流 I
B
100 毫安
顶峰 根基 电流 I
BM
200 毫安
电源 消耗 在 t
amb
=25°C P
tot
330 mW
运行 和 存储 温度 范围 T
j
:t
stg
-55 至 +150 °C
电的 特性 (在 t
amb
= 25°c 除非 否则 陈述).
参数 标识 最小值 典型值 最大值 单位 情况.
集电级 截-止
电流
I
CBO
0.1
5
µ
一个
µ
一个
V
CB
=20v, i
E
=0
V
CB
=20v, i
E
=0, t
amb
=150°C
发射级 截-止 电流 I
EBO
10
µ
一个
V
EB
=5v, i
C
=0
集电级-发射级
饱和 电压
V
ce(sat)
700 mV I
C
=500ma, i
B
=50mA*
根基-发射级
饱和 电压
V
是(在)
1.2 V I
C
=500ma, v
CE
=1V*
静态的 向前 电流
转移 比率
h
FE
BC81716 100 250 I
C
=100ma, v
CE
=1V*
BC81725 160 400 I
C
=100ma, v
CE
=1V*
BC81740 250 600 I
C
=100ma, v
CE
=1V*
所有 bands 40 I
C
=500ma, v
CE
=1V*
转变 频率 f
T
200 MHz I
C
=10ma, v
CE
=5V
f=35MHz
输出 电容 C
obo
5.0 pF V
CB
=10v, f=1mhz
*measured 下面 搏动 情况.
BC817
C
B
E
SOT23
TBA

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sot23 npn 硅 planar 中等电源晶体管公布 5 – march 2001 ✪ partmarking 详细信息 bc81716 – 6AZ bc81725 – 6BZ bc81740 – 6CZ complementary 类型 – BC807 绝对最大比率. 参数标识值单位集电级-根基电压 V CBO 50 V 集电级-发射级电压 V CEO 45 V 发射级-根基电压 V EBO 5V 顶峰脉冲波电流 I CM 1A 持续的集电级电流 I C 500 毫安根基电流 I B 100 毫安顶峰根基电流 I BM 200 毫安电源消耗在 t amb =25°C P tot 330 mW 运行和存储温度范围 T j :t stg -55 至 +150 °C 电的特性 (在 t amb = 25°c 除非否则陈述). 参数标识最小值典型值最大值单位情况. 集电级截-止电流 I CBO 0.1 5 µ 一个 µ 一个 V CB =20v, i E =0 V CB =20v, i E =0, t amb =150°C 发射级截-止电流 I EBO 10 µ 一个 V EB =5v, i C =0 集电级-发射级饱和电压 V ce(sat) 700 mV I C =500ma, i B =50mA* 根基-发射级饱和电压 V 是(在) 1.2 V I C =500ma, v CE =1V* 静态的向前电流转移比率 h FE BC81716 100 250 I C =100ma, v CE =1V* BC81725 160 400 I C =100ma, v CE =1V* BC81740 250 600 I C =100ma, v CE =1V* 所有 bands 40 I C =500ma, v CE =1V* 转变频率 f T 200 MHz I C =10ma, v CE =5V f=35MHz 输出电容 C obo 5.0 pF V CB =10v, f=1mhz *measured 下面搏动情况. BC817 C B E SOT23 TBA

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