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资料编号:163126
 
资料名称:BC817-40W
 
文件大小: 49.62K
   
说明
 
介绍:
NPN general purpose transistor
 
 


: 点此下载
 
1
浏览型号BC817-40W的Datasheet PDF文件第2页
2
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
1
) 已安装 开启 p.c. 板 与 3 mm
2
铜 衬垫 在 每个 终端
蒙太奇 auf leiterplatte 麻省理工学院 3 mm
2
kupferbelag (lötpad) 一个 jedem anschluß
8
01.11.2003
12
3
类型
代码
2.1
±0.1
2
±0.1
1
±0.1
1.25
±0.1
0.3
1.3
bc 817w / bc 818w 概述 目的 晶体管
npn
表面 安装 si-外延
PlanarTransistors
si-外延 planartransistoren
für 模具 oberflächenmontage
npn
电源 耗散 – verlustleistung 225 mw
塑料 案例 sot-323
Kunststoffgehäuse
塑料 材料 有ul 分类 94v-0
gehäusematerial ul94v-0 klassifiziert
尺寸 / maße 入点 mm
1 = b 2 = e? 3 = c
标准 包装 录音 和 卷线
标准 lieferform gegurtet auf 罗尔
最大值 额定值 (t
一个
= 25
c) Grenzwerte
(t
一个
= 25
c)
bc 817w bc 818w
收集器-发射器-电压 b 打开 v
CE0
45 v 25 v
收集器-发射器-电压 b 短路 v
消费电子展
50 v 30 v
收集器-底座-电压 e? 打开 v
CB0
50 v 30 v
发射器-底座-电压 c 打开 v
EB0
5 v
电源 耗散 – verlustleistung p
tot
225 mw
1
)
收集器 电流 – kollektorstrom (直流)
c
500 ma
峰值 coll. 电流 – kollektor-spitzenstrom
厘米
1000 ma
峰值 底座 电流 – 依据-spitzenstrom
BM
200 ma
峰值 发射器 电流 – 发射器-spitzenstrom - 我
em
1000 ma
接合点 温度 – sperrschichttemperatur t
j
150
c
存储 温度 – lagerungstemperatur t
s
- 65…+ 150
c
特性, t
j
= 25
c kennwerte, t
j
= 25
c
最小值 典型值 最大值
直流 电流 增益 – kollektor-依据-stromverhältnis
v
ce
= 1 v, 我
c
= 100 ma
BC817W
BC818W
h
100 600
v
ce
= 1 v, 我
c
= 500 ma h
40
v
ce
= 1 v, 我
c
= 100 ma
集团 -16w h
100 160 250
集团 -25w h
160 250 400
集团 -40w h
250 400 600
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