sot89 npn 硅 planar
中等 电源 晶体管
公布 3 – 二月 1996
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partmarking 详细信息:-
bcx54 – ba bcx54-10 – bc bcx54-16 – bd
bcx55 – 是 bcx55-10 – bg bcx55-16 – bm
bcx56 – bh bcx56-10 – bk bcx56-16 – bl
complementary 类型:-
bcx54 – bcx51 bcx55 – bcx52 bcx56 – bcx53
绝对 最大 比率.
参数 标识 BCX54 BCX55 BCX56 单位
集电级-根基 电压 V
CBO
45 60 100 V
集电级-发射级 电压 V
CEO
45 60 80 V
发射级-根基 电压 V
EBO
5V
顶峰 脉冲波 电流 I
CM
2A
持续的 集电级 电流 I
C
1A
电源 消耗 在 t
amb
=25°C P
tot
1W
运行 和 存储 温度 范围 T
j
:t
stg
-65 至 +150 °C
电的 特性 (在 t
amb
= 25°c 除非 否则 陈述).
参数 标识 最小值 典型值 最大值 单位 情况.
集电级-根基 损坏
电压
BCX54
BCX55
BCX56
V
(br)cbo
45
60
100
V
I
C
=100
µ
一个
集电级-发射级
损坏 电压
BCX54
BCX55
BCX56
V
(br)ceo
45
60
80
VI
C
=10mA*
发射级-根基 损坏 电压 V
(br)ebo
5V
I
E
=10
µ
一个
集电级 截-止 电流 I
CBO
0.1
20
µ
一个
µ
一个
V
CB
=30V
V
CB
=30v, t
amb
=150°C
发射级 截-止 电流 I
EBO
20 nA V
EB
=4V
集电级-发射级 饱和 电压 V
ce(sat)
0.5 V I
C
=500ma, i
B
=50mA*
根基-发射级 转变-在 电压 V
是(在)
1.0 V I
C
=500ma, v
CE
=2V*
静态的 向前 电流 转移
比率
h
FE
–10
–16
25
40
25
63
100
250
160
250
I
C
=5ma, v
CE
=2V*
I
C
=150ma, v
CE
=2V*
I
C
=500ma, v
CE
=2V*
I
C
=150ma, v
CE
=2V*
I
C
=150ma, v
CE
=2V*
转变 频率 f
T
150 MHz I
C
=50ma, v
CE
=10v,
f=100MHz
输出 电容 C
obo
15 pF V
CB
=10v, f=1mhz
*measured 下面 搏动 情况. 脉冲波 宽度=300
µ
s. 职责 循环
≤
2%
BCX54
BCX55
BCX56
C
C
B
E
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