最大 比率
(t
一个
=25°c)
BCX51
BCX52
BCX53 单位
集电级-根基 电压 V
CBO
45 60 100 V
集电级-发射级 电压 V
CEO
45 60 80 V
发射级-根基 电压 V
EBO
5.0 V
集电级 电流 I
C
1.0 一个
顶峰 集电级 电流 I
CM
1.5 一个
根基 电流 I
B
100 毫安
顶峰 根基 电流 I
BM
200 毫安
电源 消耗 P
D
1.2 W
运行 和 存储
接合面 温度 T
J
,t
stg
-65 至 +150 °C
热的 阻抗
Θ
JA
104 °c/w
电的 特性:
(t
一个
=25°c 除非 否则 指出)
标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
CBO
V
CB
=30V 100 nA
I
CBO
V
CB
=30v, t
一个
=125°C 10 µA
I
EBO
V
EB
=5.0v 100 nA
BV
CBO
I
C
=100µA (bcx51) 45 V
BV
CBO
I
C
=100µA (bcx52) 60 V
BV
CBO
I
C
=100µA (bcx53) 100 V
BV
CEO
I
C
=10mA (bcx51) 45 V
BV
CEO
I
C
=10mA (bcx52) 60 V
BV
CEO
I
C
=10mA (bcx53) 80 V
V
ce(sat)
I
C
=500ma, i
B
=50mA 0.5 V
V
是(在)
V
CE
=2.0v, i
B
=500mA 1.0 V
h
FE
V
CE
=2.0v, i
C
=5.0ma 63
h
FE
V
CE
=2.0v, i
C
=150mA 63 250
h
FE
V
CE
=2.0v, i
C
=150mA
(bcx51-10, bcx52-10, bcx53-10) 63 160
h
FE
V
CE
=2.0v, i
C
=150mA
(bcx51-16, bcx52-16, bcx53-16) 100 250
h
FE
V
CE
=2.0v, i
C
=500mA 40
f
T
V
CE
=5.0v, i
C
=10ma, f=100mhz 50 MHz
BCX51
BCX52
BCX53
表面 挂载
PNP 硅 晶体管
sot-89 情况
Central
半导体 corp.
TM
r1 ( 18-12月 2001)
描述:
这 central 半导体 bcx51,
bcx52, 和 bcx53 类型 是 pnp 硅
晶体管 制造的 用 这 外延的 planar
处理, 环氧的 模塑的 在 一个 表面 挂载
包装, 设计 为 高 电流 一般
目的 放大器 产品.
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