©2001 仙童 半导体 公司 rev. a1, 六月 2001
bd157/158/159
npn epitxial 硅 晶体管
绝对 最大 比率
T
C
=25
°
C
除非 否则 指出
电的 特性
T
C
=25
°
c 除非 否则 指出
* 脉冲波 测试: pw=300
µ
s, 职责 循环=1.5% 搏动
标识 参数 值 单位
V
CBO
集电级-根基 电压 : bd157
: bd158
: bd159
275
325
375
V
V
V
V
CEO
集电级-发射级 电压 : bd157
: bd158
: bd159
250
300
350
V
V
V
V
EBO
发射级-根基 电压 5 V
I
C
集电级 电流 (直流) 0.5 一个
I
CP
*collector 电流 (脉冲波) 1.0 一个
I
B
根基 电流 0.25 一个
P
C
集电级 消耗 (t
C
=25
°
c) 20 W
T
J
接合面 温度 50
°
C
T
STG
存储 温度 - 65 ~ 150
°
C
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
BV
CEO
*collector-发射级 损坏 电压
: bd157
: bd158
: bd159
I
C
= 1ma, i
B
= 0 250
300
350
V
V
V
I
CBO
集电级 截-止 电流
: bd157
: bd158
: bd159
V
CB
= 275v, i
E
= 0
V
CB
= 325v, i
E
= 0
V
CB
= 375v, i
E
= 0
100
100
100
µ
一个
µ
一个
µ
一个
I
EBO
发射级 截-止 电流 V
EB
= 5v, i
C
= 0 100
µ
一个
h
FE
* 直流 电流 增益 V
CE
= 10v, i
C
= 50ma 30 240
bd157/158/159
低 电源 快 切换 输出 stages
• 为 t.v 无线电 音频的 输出 放大器
1
至-126
1. 发射级 2.集电级 3.根基