©2000 仙童 半导体 国际的 rev. 一个, 二月 2000
bd136/138/140
pnp 外延的 硅 晶体管
绝对 最大 比率
T
C
=25
°
C
除非 否则 指出
电的 特性
T
C
=25
°
C
除非 否则 指出
* 脉冲波 测试: pw=350
µ
s, 职责 循环=2% 搏动
h
FE
Classificntion
标识 参数 值 单位
V
CBO
集电级-根基 电压 : bd136
: bd138
: bd140
- 45
- 60
- 80
V
V
V
V
CEO
集电级-发射级 电压 : bd136
: bd138
: bd140
- 45
- 60
- 80
V
V
V
V
EBO
发射级-根基 电压 - 5 V
I
C
集电级 电流 (直流) - 1.5 一个
I
CP
集电级 电流 (脉冲波) - 3.0 一个
I
B
根基 电流 - 0.5 一个
P
C
集电级 消耗 (t
C
=25
°
c) 12.5 W
P
C
集电级 消耗 (t
一个
=25
°
c) 1.25 W
T
J
接合面 温度 150
°
C
T
STG
存储 温度 - 55 ~ 150
°
C
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
CEO
(sus) * 集电级-发射级 sustaining 电压
: bd136
: bd138
: bd140
I
C
= - 30ma, i
B
= 0 - 45
- 60
- 80
V
V
V
I
CBO
集电级 截-止 电流 V
CB
= - 30v, i
E
= 0 - 0.1
µ
一个
I
EBO
发射级 截-止 电流 V
EB
= - 5v, i
C
= 0 - 10
µ
一个
h
FE1
h
FE2
h
FE3
* 直流 电流 增益 V
CE
= - 2v, i
C
= - 5ma
V
CE
= - 2v, i
C
= - 0.5a
V
CE
= - 2v, i
C
= - 150ma
25
25
40 250
V
CE
(sat) * 集电级-发射级 饱和 电压 I
C
= - 500ma, i
B
= - 50ma - 0.5 V
V
是
(在) * 根基-发射级 在 电压 V
CE
= - 2v, i
C
= - 0.5a - 1 V
分类 6 10 16
h
FE3
40 ~ 100 63 ~ 160 100 ~ 250
bd136/138/140
中等 电源 直线的 和 切换
产品
• complement 至 bd135, bd137 和 bd139 各自
1
至-126
1. 发射级 2.集电级 3.根基