©2000 仙童 半导体 国际的 rev. 一个, 二月 2000
bd234/236/238
pnp 外延的 硅 晶体管
绝对 最大 比率
T
C
=25
°
C
除非 否则 指出
电的 特性
T
C
=25
°
C
除非 否则 指出
* 脉冲波 测试: pw=300
µ
s, 职责 循环=1.5% 搏动
标识 参数 值 单位
V
CBO
集电级-根基 电压
: bd234
: bd236
: bd238
- 45
- 60
- 100
V
V
V
V
CEO
集电级-发射级 电压
: bd234
: bd236
: bd238
- 45
- 60
- 80
V
V
V
V
CER
集电级-发射级 电压
: bd234
: bd236
: bd238
- 45
- 60
- 100
V
V
V
V
EBO
发射级-根基 电压 - 5 V
I
C
集电级 电流 (直流) - 2 一个
I
CP
*collector 电流 (脉冲波) - 6 一个
P
C
集电级 消耗 (t
C
=25
°
c) 25 W
T
J
接合面 温度 150
°
C
T
STG
存储 温度 - 65 ~ 150
°
C
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
CEO
(sus) * 集电级-发射级 sustaining 电压
: bd234
: bd236
: bd238
I
C
= - 100ma, i
B
= 0 - 45
- 60
- 80
V
V
V
I
CBO
集电级 截-止 电流
: bd234
: bd236
: bd238
V
CB
= - 45v, i
E
= 0
V
CB
= - 60v, i
E
= 0
V
CB
= - 100v, i
E
= 0
- 100
- 100
- 100
µ
一个
µ
一个
µ
一个
I
EBO
发射级 截-止 电流 V
EB
= - 5v, i
C
= 0 - 1 毫安
h
FE
* 直流 电流 增益 V
CE
= - 2v, i
C
= - 150ma
V
CE
= - 2v, i
C
= - 1a
40
25
V
CE
(sat) * 集电级-发射级 饱和 电压 I
C
= - 1a , i
B
= - 0.1a - 0.6 V
V
是
(在) * 根基-发射级 在 电压 V
CE
= - 2v, i
C
= - 1a - 1.3 V
f
T
电流 增益 带宽 产品 V
CE
= - 10v, i
C
= -250ma 3 MHz
bd234/236/238
中等 电源 直线的 和 切换
产品
• complement 至 bd 233/235/237 各自
1
至-126
1. 发射级 2.集电级 3.根基