©2002 仙童 半导体 公司 rev. b, 九月 2002
bd676a/678a/680a/682
pnp 外延的 硅 晶体管
绝对 最大 比率
T
C
=25
°
c 除非 否则 指出
电的 特性
T
C
=25
°
C
除非 否则 指出
* 脉冲波 测试: pw=300
µ
s, 职责 循环=1.5% 脉冲波
标识 参数 值 单位
V
CBO
集电级-根基 电压 : bd676a
: bd678a
: bd680a
: bd682
- 45
- 60
- 80
- 100
V
V
V
V
V
CEO
集电级-发射级 电压 : bd676a
: bd678a
: bd680a
: bd682
- 45
- 60
- 80
- 100
V
V
V
V
V
EBO
发射级-根基 电压 - 5 V
I
C
集电级 电流 (直流) - 4 一个
I
CP
*collector 电流 (脉冲波) - 6 一个
I
B
根基 电流 - 100 毫安
P
C
集电级 消耗 (t
C
=25
°
c) 14 W
R
θ
ja
热的 阻抗 (接合面 至 包围的) 88
°
c/w
T
J
接合面 温度 150
°
C
T
STG
存储 温度 - 65 ~ 150
°
C
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
CEO
(sus) 集电级-发射级 sustaining 电压
: bd676a
: bd678a
: bd680a
: bd682
I
C
= - 50ma, i
B
= 0 - 45
- 60
- 80
- 100
I
CBO
集电级-根基 电压 : bd676a
: bd678a
: bd680a
: bd682
V
CB
= - 45v, i
E
= 0
V
CB
= - 60v, i
E
= 0
V
CB
= - 80v, i
E
= 0
V
CB
= - 100v, v
是
= 0
- 200
- 200
- 200
- 200
µ
一个
µ
一个
µ
一个
µ
一个
I
CEO
集电级 截-止 电流 : bd676a
: bd678a
: bd680a
: bd682
V
CE
= - 45v, v
是
= 0
V
CE
= - 60v, v
是
= 0
V
CE
= - 80v, v
是
= 0
V
CE
= - 100v, v
是
= 0
- 500
- 500
- 500
- 500
µ
一个
µ
一个
µ
一个
µ
一个
I
EBO
发射级 截-止 电流 V
EB
= - 5v, i
C
= 0 - 2 毫安
h
FE
* 直流 电流 增益 : bd676a/678a/680a
: bd682
V
CE
= - 3v, i
C
= - 2a
V
CE
= - 3v, i
C
= - 1.5a
750
750
V
CE
(sat) * 集电级-发射级 饱和 电压
: bd676a/678a/680a
: bd682
I
C
= - 2a, i
B
= - 40ma
I
C
= - 1.5a, i
B
= - 30ma
- 2.8
- 2.5
V
V
V
是
(在) * 根基-发射级 在 电压 : bd676a/678a/680a
: bd682
V
CE
= - 3v, i
C
= - 2a
V
CE
= - 3v, i
C
= - 1.5a
- 2.5
- 2.5
V
V
bd676a/678a/680a/682
中等 电源 直线的 和 切换
产品
• 中等 电源 darlington tr
• complement 至 bd675a, bd677a, bd679a 和 bd681 各自
1
至-126
1. 发射级 2.集电级 3.根基
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