©2000 仙童 半导体 国际的 rev. 一个, 二月 2000
bd675a/677a/679a/681
npn 外延的 硅 晶体管
绝对 最大 比率
T
C
=25
°
C
除非 否则 指出
电的 特性
T
C
=25
°
C
除非 否则 指出
* 脉冲波 测试: pw=300
µ
s, 职责 循环=1.5% 搏动
标识 参数 值 单位
V
CBO
集电级-根基 电压 : bd675a
: bd677a
: bd679a
: bd681
45
60
80
100
V
V
V
V
V
CEO
集电级-发射级 电压 : bd675a
: bd677a
: bd679a
: bd681
45
60
80
100
V
V
V
V
V
EBO
发射级-根基 电压 5 V
I
C
集电级 电流 (直流) 4 一个
I
CP
*collector 电流 (脉冲波) 6 一个
I
B
根基 电流 100 毫安
P
C
集电级 消耗 (t
C
=25
°
c) 40 W
T
J
接合面 温度 150
°
C
T
STG
存储 温度 - 65 ~ 150
°
C
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
CEO
(sus) *collector-发射级 sustaining 电压
: bd675a
: bd677a
: bd679a
: bd681
I
C
= 50ma, i
B
= 0 45
60
80
100
V
V
V
V
I
CBO
集电级-根基 电压 : bd675a
: bd677a
: bd679a
: bd681
V
CB
= 45v, i
E
= 0
V
CB
= 60v, i
E
= 0
V
CB
= 80v, i
E
= 0
V
CB
= 100v, v
是
= 0
200
200
200
200
µ
一个
µ
一个
µ
一个
µ
一个
I
CEO
集电级 截-止 电流 : bd675a
: bd677a
: bd679a
: bd681
V
CE
= 45v, v
是
= 0
V
CE
= 60v, v
是
= 0
V
CE
= 80v, v
是
= 0
V
CE
= 100v, v
是
= 0
500
500
500
500
µ
一个
µ
一个
µ
一个
µ
一个
I
EBO
发射级 截-止 电流 V
EB
= 5v, i
C
= 0 2 毫安
h
FE
* 直流 电流 增益 : bd675a/677a/679a
: bd681
V
CE
= 3v, i
C
= 2a
V
CE
= 3v, i
C
= 1.5a
750
750
V
CE
(sat) * 集电级-发射级 饱和 电压
: bd675a/677a/679a
: bd681
I
C
= 2a, i
B
= 40ma
I
C
= 1.5a, i
B
= 30ma
2.8
2.5
V
V
V
是
(在) * 根基-发射级 在 电压 : bd675a/677a/679a
: bd681
V
CE
= 3v, i
C
= 2a
V
CE
= 3v, i
C
= 1.5a
2.5
2.5
V
V
bd675a/677a/679a/681
中等 电源 直线的 和 切换
产品
• 中等 电源 darlington tr
• complement 至 bd676a, bd678a, bd680a 和 bd682 各自
1
至-126
1. 发射级 2.集电级 3.根基
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