©2000 仙童 半导体 国际的 rev. 一个, 二月 2000
bdx54/一个/b/c
pnp 外延的 硅 晶体管
绝对 最大 比率
T
C
=25
°
C
除非 否则 指出
电的 特性
T
C
=25
°
C
除非 否则 指出
* 脉冲波 测试: pw=300
µ
s, 职责 循环 =1.5% 搏动
标识 参数 值 单位
V
CBO
集电级-根基 电压 : bdx54
: bdx54a
: bdx54b
: bdx54c
- 45
- 60
- 80
- 100
V
V
V
V
V
CEO
集电级-发射级 电压 : bdx54
: bdx54a
: bdx54b
: bdx54c
- 45
- 60
- 80
- 100
V
V
V
V
V
EBO
发射级-根基 电压 - 5 V
I
C
集电级 电流 (直流) - 8 一个
I
CP
*collector 电流 (脉冲波) - 12 一个
I
B
根基 电流 - 0.2 一个
P
C
集电级 消耗 (t
C
=25
°
c) 60 W
T
J
接合面 温度 150
°
C
T
STG
存储 温度 - 65 ~ 150
°
C
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
CEO
(sus) * 集电级-发射级 sustaining 电压
: bdx54
: bdx54a
: bdx54b
: bdx54c
I
C
= - 100ma, i
B
= 0 - 45
- 60
- 80
- 100
V
V
V
V
I
CBO
集电级 截-止 电流 : bdx54
: bdx54a
: bdx54b
: bdx54c
V
CB
= - 45v, i
E
= 0
V
CB
= - 60v, i
E
= 0
V
CB
= - 80v, i
E
= 0
V
CB
= - 100v, i
E
= 0
- 200
- 200
- 200
- 200
µ
一个
µ
一个
µ
一个
µ
一个
I
CEO
集电级 截-止 电流 : bdx54
: bdx54a
: bdx54b
: bdx54c
V
CE
= - 22v, i
B
= 0
V
CE
= - 30v, i
B
= 0
V
CE
= - 40v, i
B
= 0
V
CE
= - 50v, i
B
= 0
- 500
- 500
- 500
- 500
µ
一个
µ
一个
µ
一个
µ
一个
I
EBO
发射级 截-止 电流 V
EB
= - 5v, i
C
= 0 - 2 毫安
h
FE
* 直流 电流 增益 V
CE
= - 3v, i
C
= - 3a 750
V
CE
(sat) * 集电级-发射级 饱和 电压 I
C
= - 3a, i
B
= - 12ma - 2 V
V
是
(sat) * 根基-发射级 饱和 电压 I
C
= - 3a, i
B
= - 12ma - 2.5 V
V
F
* 并行的 二极管 向前 电压 I
F
= - 3a
I
F
= - 8a
- 1.8
- 2.5
- 2.5 V
V
bdx54/一个/b/c
hammer 驱动器, 音频的 放大器 产品
电源 liner 和 切换 产品
• 电源 darlington tr
• complement 至 bdx53, bdx53a, bdx53b 和 bdx53c 各自
1.根基 2.集电级 3.发射级
1
至-220
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