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资料编号:169370
 
资料名称:BF245A
 
文件大小: 178.61K
   
说明
 
介绍:
N-Channel junction field-Effect Transistors
 
 


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2
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©2003 仙童 半导体 公司 rev. a1, 六月 2003
bf245a/bf245b/bf245c
绝对 最大 比率
T
一个
=25
°
C
除非 否则 指出
电的 特性
T
一个
=25
°
c 除非 否则 指出
标识 参数 单位
V
DG
流-门 电压 30 V
V
GS
门-源 电压 -30 V
I
GF
向前 门 电流 10 毫安
P
D
一个
=25
°
C
减额 在之上 25
°
C
350
2.8
mW
mw/
°
C
T
j,
T
STG
运行 和 存储 接合面 温度 范围 - 55 ~ 150
°
C
标识 参数 测试 情况 最小值 最大值 单位
止 特性
V
(br)gss
门-源 损坏 电压 V
DS
= 0, i
G
= 1
µ
一个-30v
V
GS
BF245B
BF245C
V
DS
= 15v, i
D
= 200
µ
一个-0.4
-1.6
-3.2
-2.2
-3.8
-7.5
V
V
GS
(止) 门-源 截-止 电压 V
DS
= 15v, i
D
= 10na -0.5 -8 V
I
GSS
门 反转 电流 V
GS
= -20v, v
GS
= 0 -5 nA
在 特性
I
DSS
零-门 电压 流 电流
BF245A
BF245B
BF245C
V
GS
= 15v, v
GS
= 0 2
6
12
6.5
15
25
毫安
在 特性
g
fs
一般 源 向前
跨导
V
GS
= 15v, v
GS
= 0, f = 1khz 3 6.5 mmhos
bf245a/bf245b/bf245c
n-频道 放大器
这个 设备 是 设计 为 vhf/uhf 放大器.
sourced 从 处理 50.
1. 门 2. 源 3. 流
至-92
1
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