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BFR92ALT1
motorola rf 设备 数据
这 rf 线条
NPN 硅
高-频率 晶体管
设计primarily 为使用 在 high–gain, low–noise, small–signal uhf 和
微波放大器 构成 和 厚 和 thin–film 电路 使用 表面
挂载 组件.
•
t1 后缀 indicates 录音带 和 卷轴 包装 的 3,000 单位 每 卷轴.
最大 比率
比率 标识 值 单位
collector–emitter 电压 V
CEO
15 Vdc
collector–base 电压 V
CBO
20 Vdc
emitter–base 电压 V
EBO
2.0 Vdc
集电级 电流 — 持续的 I
C
25 mAdc
最大 接合面 温度 T
Jmax
150
°
C
电源 消耗, t
情况
= 75
°
C
减额 成直线地 在之上 t
情况
= 75
°
c @
P
d(最大值)
0.273
3.64
W
mw/
°
C
热的 特性
典型的 标识 最大值 单位
存储 温度 T
stg
–55 至 +150
°
C
热的 阻抗 接合面 至 情况 R
θ
JC
275
°
c/w
设备 标记
bfr92alt1 = p2
电的 特性
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出)
典型的
标识 最小值 最大值 单位
止 特性
collector–emitter 损坏 电压 (1)
(i
C
= 10 毫安)
V
(br)ceo
15 — Vdc
collector–base 损坏 电压
(i
C
= 100
µ
一个)
V
(br)cbo
20 — Vdc
emitter–base 损坏 电压
(i
C
= 100
µ
一个)
V
(br)ebo
2.0 — Vdc
集电级 截止 电流
(v
CB
= 10 v)
I
CBO
— 50 nA
在 特性
直流 电流 增益
(i
C
= 14 毫安, v
CE
= 10 v)
h
FE
40 — —
collector–emitter 饱和 电压 (1)
(i
C
= 25 毫安, i
B
= 5.0 毫安)
V
ce(sat)
— 0.5 Vdc
base–emitter 饱和 电压 (1)
(i
C
= 25 毫安, i
B
= 5.0 毫安)
V
是(sat)
— 1.2 Vdc
便条: (持续)
1. 脉冲波 宽度
≤
300
µ
s, 职责 循环
≤
2.0%.
顺序 这个 文档
用 bfr92alt1/d
MOTOROLA
半导体 技术的 数据
BFR92ALT1
rf 晶体管
npn 硅
情况 318–08, 样式 6
SOT–23
低 profile
motorola, 公司 1995
rev 7
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