bfr183t/bfr183tw
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rev. 2, 20-jan-99
1 (4)
文档 号码 86026
硅 npn planar rf 晶体管
静电的 敏感的 设备.
注意到 预防措施 为 处理.
产品
为 低 噪音 和 高 增益 broadband 放大器 在
集电级 电流 从 2 毫安 至 30 毫安.
特性
D
低 噪音 图示
D
高 电源 增益
13 581
23
1
94 9280
bfr183t 标记: rh
塑料 情况 (sot 23)
1 = 集电级, 2 = 根基, 3 = 发射级
2
1
3
13 652
13 570
bfr183tw 标记: wrh
塑料 情况 (sot 323)
1 = 集电级, 2 = 根基, 3 = 发射级
绝对 最大 比率
T
amb
= 25
_
c, 除非 否则 指定
参数 测试 情况 标识 值 单位
集电级-根基 电压 V
CBO
15 V
集电级-发射级 电压 V
CEO
10 V
发射级-根基 电压 V
EBO
2 V
集电级 电流 I
C
65 毫安
根基 电流 I
B
5 毫安
总的 电源 消耗 T
amb
≤
60
°
C P
tot
200 mW
接合面 温度 T
j
150
°
C
存储 温度 范围 T
stg
–65 至 +150
°
C
最大 热的 阻抗
T
amb
= 25
_
c, 除非 否则 指定
参数 测试 情况 标识 值 单位
接合面 包围的 在 glass fibre 打印 板 (25 x 20 x 1.5) mm
3
镀有 和 35
m
m cu
R
thJA
450 k/w